薄膜体声波谐振器(FBAR)技术和其应用.pdfVIP

第z9卷第451 压电与声光 VoL29NO．4 2007年8月 PIEZOELECTECTRICS8LACOUsT00PTICS Aug．2007 文章编号：1004—2474(2007)04—0379—04 薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用 何 杰，刘荣贵，马晋毅 (四川压电与声光技术研究所，重庆400060) 摘 要：薄膜体声波器件具有体积小，成本低，品质因数(Q)高，功率承受能力强，频率高且与IC技术兼容等特 点，适合于工作在1～10GHz的RF系统应用，有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波(sAw)器件和 微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用。分析了FBAR器件的三种结构及 其制作方法。还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战。 关键词：薄膜体声波谐振器；Q值；功率承受能力；高频应用；IC技术 中图分类号：TN65 文献标识码：A ThinFilmBulkAcoustic