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双极型晶体管 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, 英文缩写BJT）。 双极型晶体管 双极型晶体管的作用 双极型晶体管的优点 发射区（Emitter）——发射载流子 基 区（Base）——传输和控制载流子 集电区（Collector）——收集载流子 双极型晶体管 晶体管的共射特性曲线 1.输入特性曲线 当ＵＣＥ不变时, 输入回路中的电流ＩＢ与电压ＵＢＥ之间的关系曲线称为输入特性, 即 输出特性 当ＩＢ不变时, 输出回路中的电流ＩＣ与电压ＵＣＥ之间的关系曲线称为输出特性, 即 (1) 截止区。 一般将ＩＢ≤０的区域称为截止区, 在图中为ＩＢ＝０的一条曲线的以下部分。此时ＩＣ也近似为零。由于各极电流都基本上等于零, 因而此时三极管没有放大作用。  其实ＩＢ＝０时, ＩＣ并不等于零, 而是等于穿透电流ICEO。 一般硅三极管的穿透电流小于１μA, 在特性曲线上无法表示出来。锗三极管的穿透电流约几十至几百微安。  当发射结反向偏置时, 发射区不再向基区注入电子, 则三极管处于截止状态。所以, 在截止区, 三极管的两个结均处于反向偏置状态。对ＮＰＮ三极管, ＵＢＥ＜０, ＵBC＜０。 (2) 放大区。 此时发射结正向运用, 集电结反向运用。 在曲线上是比较平坦的部分, 表示当ＩＢ一定时, ＩＣ的值基本上不随ＵCE而变化。在这个区域内,当基极电流发生微小的变化量ΔＩＢ时, 相应的集电极电流将产生较大的变化量ΔＩＣ, 此时二者的关系为 ΔＩＣ＝βΔＩＢ 该式体现了三极管的电流放大作用。  对于ＮＰＮ三极管, 工作在放大区时ＵＢＥ≥０.７V, 而ＵＢＣ＜０。  饱和区 曲线靠近纵轴附近, 各条输出特性曲线的上升部分属于饱和区。 在这个区域, 不同ＩＢ值的各条特性曲线几乎重叠在一起, 即当ＵＣＥ较小时, 管子的集电极电流ＩＣ基本上不随基极电流ＩＢ而变化, 这种现象称为饱和。此时三极管失去了放大作用, ＩＣ＝βＩＢ或ΔＩＣ＝βΔＩＢ关系不成立。  一般认为ＵCE＝ＵBE, 即ＵCB＝０时, 三极管处于临界饱和状态, 当ＵCE＜ＵBE时称为过饱和。三极管饱和时的管压降用ＵCES表示。在深度饱和时, 小功率管管压降通常小于０.３V。 三极管工作在饱和区时, 发射结和集电结都处于正向偏置状态。对NPN三极管,ＵＢＥ＞０, ＵＢＣ＞０。 空间电荷区宽度 空间电荷区宽度 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 在交流的情况下，交流信号作用在PN结上，PN结空间电荷区的宽度和基区的少子的分布都随信号电压的改变而变化（称为再分布）。如在信号的正半周时，注入电子电流，将有一部分流入正空间电荷区，中和掉部分正空间电荷区，与此同时，基极必须对负空间电荷区流入等量的空穴，中和掉等量负空间电荷区，从而使一部分注入电子通过对势垒电容的充放电转化为基极电流。同样，在信号的正半周，注入电子将用一部分用于增加基区的电荷积累，对扩散电容充电。为了保持电中性，基极也必须提供等量的多子，消耗于基区电荷的积累，即对扩散电容的充电也转化为基极电流。由此可以看出,由于结电容的分流作用，使基极电流增大，输出到集电极的电流减小。频率越高，结电容的分流作用越强，基极电流越大。 * * * * * * * * * * 12. 6频率上限 截止频率 共发射极电流增益的幅值下降到其低频值的　　时的频率 12. 7 大信号开关 工作在开关状态，外加信号为大信号，器件在截止关断和饱和导通两种状态之间转换。 工作在开关状态的双极型晶体管电路图 输入的开关信号波形图 当t=0时，输入信号由低电平变为高电平；当t=t3时，输入信号则由高电平变为低电平。 饱和区 放大区 截止区 td称为延迟时间，tr称为上升时间，ts称为存储时间，tf称为下降时间。 BJT器件集电极电流的变化波形 在td时间内，发射结充电，BJT逐渐开始导通； 在tr时间内，基区载流子积累，BJT逐渐进入饱和； 在ts时间内，抽取基区过剩载流子，逐渐退出饱和； 在tf时间内，发射结放电，BJT逐渐变为关断； 当BJT器件分别处于正向放大状态和饱和状态时，器件基区和集电区中的电荷存储效应 12. 7大信号开关 肖特基钳位二极管 肖特基钳位二极管：使VBC不会太高，少子浓度降低而加快速度 采用肖特基钳位二极管可减