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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 测量晶体管特性的实验线路 输入回路 输出回路 EC IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB V + + – – – – + + * 1. 输入特性 特点:非线性 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V NPN型锗管 UBE ? 0.2 ~ 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O * 2. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 IC=? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 条件：发射结正向偏置 集电结反向偏置 * IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 ， UCE ? UCC 。 条件：发射结反向偏置、集电结反向偏置 截止区 * IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （3）饱和区 UCE? UBE时，饱和状态。UCE ? 0 , IC ? UCC / RC 。 条件：发射结正向偏置、集电结正向偏置 饱和区 * 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数 ，? 静态电流放大系数 动态电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 * 2. 集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3. 集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 * 4. 集电极最大允许电流 ICM 14. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 * ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O * 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小 –(2～2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 * 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 例1：UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。求Q1、 Q2的 在 Q2 点，有 * （1）V1=3.5V， V2=2.9V， V3=12V。 例2： 测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1、V2、V3，判断管子的类型、材料及三个极。 NPN型硅管，1、2、3依次为B、E、C （2）V1=3V， V2=2.8V， V3=12V。 （3）V1=6V， V2=11.4V， V3=12V。 （4）V1=6V， V2=11.8V， V3=12V。 NPN型鍺管，1、2、3依次为B、E、C PN