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化学传感器的原理及应用 一.化学传感器定义 能将各种化学物质的特性（如气体，离子，电解质浓度，空气湿度等）等的变化定性的或定量的地转换成电信号的传感器称为化学传感器。 二·化学传感器的分类 化学传感器包括电化学传感器、光化学传感器、质量化学传感器和热化学传感器。 根据转换的电信号种类不同，可将电化学传感器分为电流型化学传感器、电位型化学传感器和电阻型化学传感器。以下介绍气敏传感器，湿敏传感器，离子敏传感器 （1）气敏传感器 气敏传感器是一种基于声表面波器件波速和频率随外界环境的变化而发生漂移的原理制作而成的一种新型的传感器。气敏传感器是一种检测特定气体的传感器。它主要包括半导体气敏传感器、接触燃烧式气敏传感器和电化学气敏传感器等，其中用的最多的是半导体气敏传感器。它的应用主要有：一氧化碳气体的检测、瓦斯气体的检测、煤气的检测、氟利昂（R11、R12）的检测、呼气中乙醇的检测、人体口腔口臭的检测等等。 响应时间 ：对被测气体浓度的响应速度 选择性：指在多种气体共存的条件下，气敏元件区分气体种类的能力 稳定性：当被测气体浓度不变时，若其他条件发生改变，在规定的时间内气敏元件输出特性保持不变的能力 温度特性：气敏元件灵敏度随温度变化而变化的特性 湿度特性：气敏元件灵敏度随环境湿度变化而变化的特性 电源电压特性：指气敏元件灵敏度随电源电压变化而变化的特性 时效性与互换性：反映元件气敏特性稳定程度的时间，就是时效性；同一型号元件之间气敏特性的一致性，反映了其互换性 2）气感器原理及分类 μm以下），添加不同杂质，采用传统制陶方法烧结。烧结时埋入加热线和测量电极，制成管芯，最后将加热丝和测量电极焊在管座上，加特制外壳构成器件。烧结型器件的结构示于图2（a）。 烧结型器件的一致性较差，机械强度也不高，但它价格便宜，工作寿命长，因此目前仍得到广泛应用。 2、薄膜型气敏器件 薄膜型气敏器件的结构如图2（b）所示，采用蒸发或溅射方法在石英基片上形成一薄层氧化物半导体薄膜。实测表明SnO2和 ZnO薄膜的气敏特性最好，但这种薄膜为物理性附着系统，器件之间的性能差异仍较大。 3、厚膜型气敏器件 它是用 SnO2或 ZnO等材料与3％～15％（重量）的硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶，把厚膜胶用丝网印制到事先安装有铂电极的Al2O3基片上，以400～800℃烧结1小时制成。其结构如图2（c）所示。厚膜工艺制成的元件一致性较好，机械强度高，适于批量生产，是一种有前途的器件。 图2电阻型气敏器件结构 （a）烧结型；（b）薄膜型；（c）厚膜型 SnO2气敏器件易受环境温湿度的影响，图3给出了温湿度综合特性曲线。由于环境温湿度对气敏器件的特性有影响，在使用时要加温湿度补偿，或选用温湿度性能好的气敏器件。 除了电阻型气敏器件以外，目前已发展了多种利用其他物理特性的气敏器件。譬如用硅单晶制成的对氢气敏感的把栅MOS场效应晶体管，Pd－Si、MIS二极管和Pd－MOS二极管等，这是气敏器件发展中值得注意的动向。 图3 SnO2气敏器件温湿度特性 非电阻型气敏器件 非电阻型气敏器件是利用 MOS二极管的电容－电压特性（C－V特性）的变化，和MOS场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压的变化等物理特性做成的半导体气敏器件。这类器件可应用目前成熟的集成电路工艺来制造，其重复性和稳定性大为改善，性能价格比得以提高，并使器件的集成化和智能化成为可能。 1、MOS二极管气敏器件 MOS二极管的结构和等效电路示于图4。在P型半导体硅芯片上，采用热氧化工艺生长一层厚度为50～100nm左右的SiO2层，然后再在其上蒸发一层金属薄膜，作为栅电极。SiO2层电容Cax是固定不变的，Si－SiO2界面的电容Cs是外加电压的函数。所以总电容C是栅偏压的函数，其函数关系称为该MOS管的C－V特性。由于Pd在吸附H2以后，会使它的功函数降低，这将引起MOS管的C－V特性向负偏压方向平移，如图5所示，据此可测定H2的浓度。 图4 MOS结构和等效电路 图5 MOS结构的C-V特性 a－吸附H2前；b－吸附H2后 2、Pd－MOSFET气敏器件 关于MOSFET的结构和主要特性已作了介绍Pd－MOSFET与普通MOS－FET的主要区别在于用钯Pd薄膜取代铝Al膜作为栅电极。因为Pd对H2的吸附能力极强，而H2在Pd上的吸附将导致Pd的功函数降低。如前所述，阈电压VT的大小与金属和半导体之间的功函数差有关。Pd－MOSFET气敏器件正是利用H2在Pd栅上吸附后引起阈电压VT下降这一特性来检测H2浓度的。 3）气敏传感器的应用 其广泛应用于煤矿、农业、化工、建筑、环保、