半导体器件物理资源一.ppt

? 半导体材料的晶格结构 ? 电子和空穴的概念 ? 半导体的电性能和导电机理 ? 载流子的漂移运动和扩散运动 ? 非平衡载流子的产生和复合 练习 试计算常温下锗的数密度。 练习 试求ADD’A’的密勒指数。 练习 P30 1.3，1.4 练习 试画出硅、锗和砷化镓在常温下的能带图。 思考 既然半导体电子和空穴都能导电，而导体只有电子导电，为什么半导体的导电能力比导体差？ 注意三个“准” 准连续 准粒子 准自由 练习 整理空带、满带、半满带、价带、导带、禁带、导带底、价带顶、禁带宽度的概念。 简述空穴的概念。 练习 P30 6、7 半导体中的缺陷和缺陷能级 当半导体中的某些区域，晶格中的原子周期性排列被破坏时就形成了各种缺陷。 缺陷分为三类： ①点缺陷：如空位，间隙原子，替位原子； ②线缺陷：如位错； ③面缺陷：如层错等。 练习 写出常见缺陷的种类并举例。 试述弗仑克耳缺陷和肖特基缺陷的特点、共同点和关系。 位错对半导体材料和器件有什么影响？ 练习 P30 9 写出欧姆定律的一般形式和微分形式。 电子和空穴的漂移方向如何判断？扩散运动又如何？ 为什么说平衡态下电场的方向必须是反抗扩散电流？ 影响非平衡载流子寿命的因素 材料的种类 杂质的含量（特别是深能级杂质） 表面状态 缺陷的密度 外部条件（外界气氛） 练习 P30 10，11 杂质半导体的载流子浓度 一般来说，在室温下所有的杂质都已电离，一个杂质原子可以提供一个载流子； 假设掺入半导体中的杂质浓度远大于本征激发的载流子浓度 。 N型半导体 P型半导体 (ND为施主杂质浓度) (NA为受主杂质浓度) N型半导体中，电子为多数载流子（简称多子），空穴为少数载流子（简称少子）；P型半导体中，空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 式（1-12） n0p0=ni2 由式（1-12），可以确定少数载流子的浓度 N型半导体 P型半导体 由于ND（或NA）远大于ni，因此在杂质半导体中少数载流子比本征半导体的载流子浓度ni小得多。 本征激发时 式（1-6） 式（1-6）可改写如下 ★式 ★式代入式（1-6）可得 ★式 当一块半导体中同时掺入P型杂质和N型杂质时，考虑室温下，杂质全部电离，以及杂质的补偿作用，载流子浓度为|ND-NA| 。 多子浓度计算 少子浓度计算 N型半导体 P型半导体 对于杂质浓度一定的半导体，随着温度的升高，载流子则是从以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源的过程。相应地，费米能级则从位于杂质能级附近逐渐移近到禁带中线处。 当温度一定时，费米能级的位置由杂质浓度所决定，例如N型半导体，随着施主浓度的增加，费米能级从禁带中线逐渐移向导带底方向。 对于P型半导体，随着受主杂质浓度的增加，费米能级从禁带中线逐渐移向价带顶附近。 杂质浓度与费米能级的关系 在杂质半导体中，费米能级的位置不但反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。 对于N型半导体，费米能级位于禁带中线以上，ND越大，费米能级位置越高。 对于P型半导体，费米能级位于禁带中线以下，NA越大，费米能级位置越低。如图1-15所示。 练习 判断半导体的导电类型并计算载流子浓度 硅中掺入P 原子，浓度为1016cm-3； 锗中掺入B 原子，浓度为1017cm-3； 硅中先掺入P 原子，浓度为2*1016cm-3 ，再掺入B 原子，浓度为4* 1016cm-3 ; 锗中先掺入P 原子，浓度为2*1016cm-3 ，再掺入As原子，浓度为4* 1016cm-3 。 载流子的漂移运动 半导体中的载流子在电场作用下作漂移运动。 在运动过程中，载流子会与晶格原子、杂质原子或其他散射中心 碰撞，速度和运动方向将会发生改变，可能从晶格中获得能量，速度变大，也有可能把能量交给晶格，速度变小。 平均自由程 大量载流子在两次碰撞之间路程的平均值 平均自由时间 大量载流子在两次碰撞之间时间的平均值 λ τ 欧姆定律 以金属导体为例，在导体两端加以电压V时， 导体内形成电流，电流强度为 R为导体的电阻，且 阻值与导体的长度l成正比，与截面积s成反比，ρ为导体的电阻率。 电阻率的倒数为电导率σ ，即 电流密度 在半导体中，通常电流分布是不均匀的，即流过不同截面的电流强度不一定相同。我们引入电流密度的概念，它定义为通过垂直于电流方向的单位面积的电流，用J表示，即 ΔI：通过垂直于电流方向的面积元Δs的电流强度 欧姆定律的微分形式 一段长为l，截面积为s，电阻率为ρ的均匀导体， 若两端外加电压V，