半导体器件物理 第三章.ppt

二次击穿的机理 ●热型（热不稳定型）：二次击穿是局部温度升高和电流集中往复循环的结果。 而循环和温度升高都需要一定的时间，因此热型二次击穿的触发时间较长。（慢速型） ●电流型（雪崩注入型）：由雪崩注入引起 雪崩击穿即刻发生，所以此种击穿的特点是器件由高压小电流状态向低压大电流状态过渡十分迅速，所需延迟时间很短，因此电流型二次击穿是快速型的二次击穿。 晶体管的安全工作区（SOA） 晶体管能安全可靠地工作，并具有较长寿命的工作范围。 由最大集电极电流ICM，极限电压BVCE0，最大功耗线和二次击穿临界线PsB所限定的区域。 功率晶体管直流安全工作区 最大功耗线（图中实线） 由最大耗散功率PCm、热阻、最高结温和环境温度决定。 功耗线右边（Ⅰ区）为功率耗散过荷区。功率过大，将产生大量热量，造成引线熔断和镍铬电阻烧毁等。 二次击穿临界线（图中虚线） 由实验测定，它随改善二次击穿特性措施的实施而逐渐靠近最大功耗线。 区域Ⅱ为热型二次击穿区。工作在此区内，晶体管将产生过热点，最终导致材料局部熔化，结间产生熔融孔而永久失效。 Ⅲ区为雪崩注入二次击穿区，若外电路无限流措施，同样会造成晶体管永久失效。 Ⅳ区为雪崩击穿区。在Ⅲ、Ⅳ两区内，若采取限流措施，均不会造成晶体管永久失效， Ⅴ区为电流过荷区，电流过荷区将会使β、特征频率等参数严重下降，晶体管性能恶化。 晶体管的安全工作区（图中阴影部分） 安全工作区的大小与电路工作状态有关。 从设计和制造的角度考虑，尽量扩大晶体管的安全工作区仍是高频功率管的重要任务。 如何扩大安全工作区 首先，努力做到使安全工作区由最大集电极电流ICM，最高集电极电压BVCE0和最大功耗线所限定。 （改善器件的二次击穿特性，将二次击穿临界线移到最大功耗线之外，至少也要移到最大功耗线上。） 其次，通过选择合适的材料和正确的设计。 （提高器件的耐压；增大器件的最大电流；降低热阻，提高晶体管的耗散功率） 晶体管中最高电压的根本限制与在P-N结二极管中的相同，即雪崩击穿或齐纳击穿。但是，击穿电压不仅依赖于所涉及的P-N结的性质，它还依赖于外部的电路结构。 一、共基极连接 在发射极开路的情况下，晶体管集电极和基极两端之间容许的最高反向偏压 : 经验公式（对于共基极电路）： 图3-27中，在 处 突然增加.从集电极电流与发射极电流之间的关系来看，包含 雪崩效应的有效电流增益增大M倍，即 （3-99） （3-100） 3.11击穿电压 当M接近无穷时满足击穿条件。 图3-27 共发射极和共基极电路的击穿电压 3.11击穿电压 二、共发射极连接 由于 ，因此，包含雪崩效应的共发射极电流增益为 当达到的条件 时，新的电流增益变为无穷，即发生击穿。 由于 非常接近于1，当 不要比1大很多时就能满足共发射极击穿条件。 基极开路情况下的击穿电压用 表示。令（3-99）式中的 并使 等于 ，可以解得 硅的 数值在2到4之间，在 值较大时，共发射极击穿电压 可比共基极击穿 电压低很多。 （3-101） （3-102） 3.11击穿电压 共发射极的击穿特性也示于图3-27中 图3-28 晶体管的穿通：（a）穿通前的空间电荷区（b）能带图（c）穿通后的空间电荷区 耗尽层 在穿通前 在穿通后 （a） （b） （c） 3.11击穿电压 穿通电压：若在发生雪崩击穿之前集电结的空间电荷层到达了发射结，则晶体管穿通，这个击穿电压就叫做穿通电压。 穿通机制：一个晶体管的空间电荷区及能带分布示于图3-28中。在这种条件下，发射区和集电区被连接成好象一个连续的空间电荷区，使发射结处的势垒被穿通时的集电结电压降低了。结果是，使得大的发射极电流得以在晶体管当中流过并发生击穿。 穿通击穿的特点：穿通击穿的I-V曲线不象雪崩击穿那样陡直。 3.11击穿电压 穿