数电 第七章 半导体存储器.ppt

第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 给每个存储单元分配一个地址 一、一般结构形式 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 按照用户的要求而专门设计的，故出厂时，数据已被固化在里边 一、结构 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元” 存储器的容量：“字数 x 位数” 4 x4位 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）基本输入输出程序例如BIOS 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）例如IC卡 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一次只能擦除、写入一个数据 三、快闪存储器（Flash Memory）例如：U盘 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管）可迅速擦除、写入很多数据 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存