GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展-发光学报.PDF

第３８卷　 第４期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ４ ２０１７年４月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｐｒ. ꎬ２０１７ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０４￣０４７７￣１０ ＧａＮ基肖特基势垒二极管结构优化研究进展 ∗ 吴月芳ꎬ郭伟玲 ꎬ 陈艳芳ꎬ雷　 亮 (北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室ꎬ北京　 １００１２４) 摘要:作为宽禁带半导体器件ꎬＧａＮ基肖特基势垒二极管(ＳＢＤ)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性ꎬ 这使得它在电力电子等领域有广泛应用ꎮ 本文首先综述了ＳＢＤ发展要解决的问题ꎻ然后ꎬ介绍了ＧａＮＳＢＤ结 构、工作原理及结构优化研究进展ꎻ接下来ꎬ总结了ＡｌＧａＮ/ ＧａＮ ＳＢＤ结构、工作原理及结构优化研究进展ꎬ并 着重从ＡｌＧａＮ/ ＧａＮ ＳＢＤ的外延片结构、肖特基电极结构以及边缘终端结构等角度ꎬ阐述了这些结构的优化对 ＡｌＧａＮ/ ＧａＮ ＳＢＤ性能的影响ꎻ最后ꎬ对器件进一步的发展方向进行了展望ꎮ 关　 键　 词:肖特基势垒二极管(ＳＢＤ)ꎻ外延片ꎻ 肖特基电极ꎻ边缘终端ꎻ结构优化 中图分类号:ＴＮ３１１.７ 　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０４７７ Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｎ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＧａＮ Ｂａｓｅｄ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｄｉｏｄｅ ∗ ＷＵ Ｙｕｅ￣ｆａｎｇꎬＧＵＯ Ｗｅｉ￣ｌｉｎｇ ꎬＣＨＥＮ Ｙａｎ￣ｆａｎｇꎬＬＥＩ Ｌｉａｎｇ (Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｏｐｔｏ￣ｅｌｅｃｔｉｏｎｉｃｓ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＭｉｎｉｓｔｒｙ ｏｆ ＥｄｕｃａｔｉｏｎꎬＢｅｉｊｉｎｇ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙꎬＢｅｉｊｉｎｇ １００１２４ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｇｕｏｗｅｉｌｉｎｇ＠ｂｊｕｔ.ｅｄｕ.ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ａｓａｗｉｄｅｂａｎｄｇａｐ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｄｅｖｉｃｅꎬＧａＮｂａｓｅｄ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｂａｒｒｉｅｒ ｄｉｏｄｅ (ＳＢＤ)ｈａｓ ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ ｈｉｇｈ ｖｏｌｔａｇｅꎬｈｉｇｈ ｔｈｅｒｍｏｓｔａｂｉｌｉｔｙꎬｌｏｗ ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ａｎｄ ｏｔｈｅｒ ｅｘｃｅｌ￣ ｌｅｎｔ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓꎬｗｈｉｃｈ ｍａｋｅｓ ｉｔ ｗｉｄｅｌｙ ｕｓｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｆｉｅｌｄ ｏｆ ｐｏｗｅｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ. Ｔｈｉｓ ｐａｐｅｒ ｆｉｒｓｔ ｓｕｍｍａｒｉｚｅｓ ｔｈｅ ｐｒｏｂｌｅｍｓ ｔｏ ｂｅ ｓｏｌｖｅｄ ｉｎ ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ＳＢＤ. Ｔｈｅｎꎬｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅꎬｗｏｒｋｉｎｇ ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ ａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＧａＮ ＳＢＤ ａｒｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ. Ｎｅｘｔꎬｔｈｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅꎬｗｏｒｋｉｎｇ ｐｒｉｎ￣ ｃｉｐｌｅ ａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ＡｌＧａＮ/ ＧａＮ ＳＢＤ ａｒｅ ｓｕｍｍａｒｉｚｅｄꎬａｎｄ ｔｈｅ ｅｆｆｅｃｔｓｏｆ ｔｈｅｓｅ ｓｔｒｕｃ￣ ｔｕｒｅｓ ｏｎ ｔｈｅ ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ ｏｆ ＡｌＧａＮ/ ＧａＮ ＳＢＤｓ ａｒｅ ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ ｆｒｏｍ ｔｈｅ ｐｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅ ｏｆ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｗａｆｅｒ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅꎬＳｃｈｏｔｔｋｙ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ａｎｄ ｅｄ