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模拟1-半导体器件
第 1 章 半导体器件;1.1 半导体的特性;硅原子结构;+4;+4;+4;1.1.2 杂质半导体;+4;2. P 型半导体;说明：;思考题
在N型半导体中，掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体，对吗？
在N型半导体中，由于自由电子是多子，所以N型半导体带负电，对吗？
;1.2 半导体二极管;1. PN 结中载流子的运动;★ 空间电荷区产生内电场;★ 扩散与漂移的动态平衡;2. PN 结的单向导电性;★ PN 结外加反向电压(反偏); 综上所述：
当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态；当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。
可见， PN 结具有单向导电性。;1.2.2 二极管的伏安特性;半导体二极管的类型：;二极管的伏安特性;1. 正向特性;2. 反向特性;伏安特性表达式(二极管方程);结论：;1.2.3 二极管的主要参数; 1.2.4 稳压管; 稳压管的参数主要有以下几项：;VDZ;题1-3 某二极管的伏安特性如图。
如在二极管两端通过1KΩ的电阻加上1.5V的电压，此时二极管的I、U各为多少？
如将图中1.5V电压改为3V，则二极管的I、U各为多少？;题1-4 已知在图P1-4中，uI=10sin ωt(V) ,RL=1KΩ,试对应地画出二极管的电流iD、电压uD以及输出电压uO的波形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。;题1-7 在图P1-7中，已知电压V=10V ,R=200Ω,RL=1KΩ，稳压管的UZ=6V，试求：
（1）稳压管中的电流IZ=？
（2）当电源电压V升高至12V时， IZ将变为多少？
（3）当V仍为10V， 但RL改为2KΩ时， IZ将变为多少？;团队活动;;;1.3 双极结型三极管;1.3.1 三极管的结构;平面型(NPN)三极管制作工艺;N;图 1.3.3 三极管结构示意图和符号——NPN 型;集电区;1.3.2 三极管中载流子的运动和电流分配关系;三极管内部结构要求：;b;b;IB;2. 输出特性;1.3.4 三极管的主要参数;（1） 共射电流放大系数 ?;2. 反向饱和电流;3. 极限参数;（3） 极间反向击穿电压——U(BR)CEO、 U(BR)CBO
;习题1-15 测得放大电路中各三极管各极电位如图，判断各三极管的管脚、类型、材料。;习题1-13 测得某电路中几个三极管各极电位如图，判断各三极管的工作状态。;习题1-14;习题1-14;1.4???场效应三极管;d;2. 工作原理; ☆ 设UDS = 0 ，在栅源之间加负电压，即 UGS＜0，改变 UGS大小。观察导电沟道的变化。;1.4.2 绝缘栅型场效应管;N 沟道增强型 MOS 场效应管;☆ 工作原理;;;小 结;第1章 结束
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