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加工、测量与设备
and
Processing，MeasurementEquipment
MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法
富 迪，陈 豪，杨 轶，任天令，刘理天
(清华大学微电子学研究所，北京 100084)
摘要：针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题，提出了一种基于硅一硅
键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法，并采用该方法制备了阵元间距小至
150“m的密排二雏换能器阵列。阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下
电极和支撑层组成的多层膜结构，并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收。制备样品的
测试结果表明，采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列，具有阵元间距小、工艺流程可靠、
成品率高、一致性好、工作频率(2，45MHz)与设计值(2．5MHz)的吻合度高等优点，适用
于医学成像等高频超声成像系统。
关键词：硅一硅键合；微机电压电超声换能器(pMUT)；PZT膜；高频换能器阵列；医学超声成像
中图分类号：TP212；TN64文献标识码：A 文章编号：1671_4776(2011)08一0523—05
of
FabricationMethod2一DimensionalPiezoeIectricMicromachined
UltrasonicTransducer
Arrays
FuDi，Chen Yi， Ren LiuLitian
Hao，Yang Tianling，
(J聍s￡if“￡P 100084，C巩i咒口)
D，MicroPZPc￡rD咒if5，孔i咒g^z‘nLkiw，Isify，BeiJi竹g
Afabricationmethodof2D
Abst阳ct： micromachinedultrasonic
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