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第 13卷第 1期 淮阴师范学院学报 (自然科学版) V01.13 No.1
2014年3月 JOURNALOFHUAIYINTEACHERSCOLLEGE(NATURALSCIENCEEDITION) Mar.2014
应变 SrTiO3/GaAs异质结的整流特性研究
杨万里,陈晓伟,高玉婷,李 杨,王 严,翟章印
(1.淮阴师范学院 物理与电子电气工程学院,江苏 淮安 223300)
摘 要:采用脉冲激光沉积法在P型GaAs基片上制备 了缺氧的钛SrTiO,薄膜.x射线衍射测
量证明SrTiO 薄膜外延生长.,. 曲线测量显示很好的整流性,说明该SrTiO,薄膜与GaAs形
成p-n结.该结的电输运机制为应变导致的隧穿电流,且其电输运性质不受光照影响.
关键词:SrTiO3;GaAs;p-n结;整流性
中图分类号:0484.4 文献标识码 :A 文章编号:1671-6876(2014)01.()044_I)4
O 引言
近年来,钙钛矿结构氧化物引起广泛关注.介电、铁电、铁磁、高温超导等多种功能氧化物材料都具
有钙钛矿或类钙钛矿结构 引.这种结构可以用ABO来表示,A位为稀土元素,阳离子呈 12配位结构,
位于八面体空隙位置.B位为过渡元素,阳离子与六个氧离子构成八面体配位.钛酸锶 (SrTiO,STO)是
钙钛矿结构氧化物中的一个典型代表,它的晶格参数为0.3905rim,与大多数功能氧化物匹配 良好,所
以经常被用作各种功能氧化物材料的衬底 j.STO本身也有很高的研究价值.最近,人们在其异质结中
发现一系列奇异性质,如室温铁 电性、压电效应、超导性、二维电子气等 剖.
目前,半导体集成技术 日趋成熟.随薄膜制备技术的提高,功能氧化物材料与半导体的集成成为可
能.在不同取向的硅基片上外延生长STO已经实现 J.砷化镓 (GaAs)是第二代半导体中的代表,具有
直接带隙,闪锌矿结构,晶格常数为0.565nm.其电子迁移率比硅大5~6倍,在微波器件和高速数字电
路方面有重要应用.它还可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用于光电导开
关、集成电路衬底、红外探测器、光子探测器等.因此,在砷化镓基片上外延生长钙钛矿结构氧化物具
有很高的研究和应用价值.
无掺杂的STO是一种绝缘体材料,带隙为 3.2eV.阳离子掺杂或缺氧情况下能变为 N型半导
体 ¨.在P型GaAs基片上生长缺氧的STO可能实现p-n异质结 ¨.而且,STO/GaAs异质结也可作为
其他功能氧化物材料的赝衬底 ¨。’J.
本文中采用脉冲激光沉积(PLD)在 P型GaAs基片上外延生长了缺氧的STO薄膜 ,形成 STO/GaAs
p-n异质结,研究了其室温和低温下的整流特性和光照对其整流特性的影响.
1 实验过程
采用脉冲激光沉积方法在zn掺杂的GaAs单晶基片上外延生长STO薄膜.靶材为STO单晶,使用
波长为248llm的KrF准分子激光器,功率为400毫焦/脉冲,频率2Hz,靶材与基片距离5cm,腔体背底
真空1.0×10一mBar.生长温度580~C.在背底真空下镀膜以实现STO薄膜的缺氧,从而形成半导体导
收稿 日期:2014-02-02
基金项 目:国家自然科学基金项 目;江苏省高校自然科学基金项 目(11KJBI40001);江苏省大学生实践创新训练计划项
目(2012JSSPITP2492)
通讯作者:翟章印(1979一),男,河南安阳人,副教授,博士,主要研究方向为功能氧化物薄膜.E-mail:zhangyinz@sina.corn
第 1期 杨万里等 :应变SrTiO /GaAs异质结的整流特性研究 45
电性.镀膜后 自然冷却至室温.薄膜厚度采用DektaxST台阶仪测量,膜厚约为200nm.结构测试使用西
门子D5000高分辨x射线衍射仪.电输运测量采用物理性能测试系统.
2 结果与讨论
图1为STO/GaAs异质结的x射线衍射(XRD)图.图中,我们只能观测到STO的(001)和(002)峰,
以及GaAs的(002)和(004)峰.其他晶面的衍射峰都没有出现.证明STO薄膜是单取向生长的.STO与
GaAs的面内匹配不可能是STO[100]/
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