软化学法制备高度取向ZnO亚微米棒阵列的生长温度研究.pdfVIP

软化学潞0备高度取向ZnO亚微米棒阵列的生长温度研究 俞有幸郝维昌’杜轶王春忠王天民 北京航空航天大学材料物理与化学研究中心北京100083 ZnO是一种直接带隙的半导体材料，室温下的禁带宽度为3．37eV，激予束缚能为60meV。由 于在短波长半导体发光二极管、激光器、紫外探测等光电性能及气敏【12】、压,Egf3】等方面的潜在用 途而受到广泛研究，特别是作为一种重要的化合物半导体光电材料141而引起国内外学者的广泛关 获得了紫外激光发射【5l。日本和我国香港的科学家也在1997年相继报道了ZnO薄膜的紫外受激 辐射【6,71。由于锌间隙原子及氧空位的共同作用，通常得到的ZnO都是n型半导体，长期以来， 国内外众多科学家都致力于P型ZnO的研究。2004年，日本的川崎教授率先研制了基于ZnO同 晶片上外延生长P型ZnO薄膜获得同质发光二极管的研究【引。 (PLD)【15J等先进技术。但由于高昂的成本以及高温、高压、高真空和反应精确控制等苛刻条件， 这些技术在应用与推广中受到一系列限制，因而寻求一种简单、低成本、适用于大规模生产的ZnO 晶体生长方法就具有特殊的意义。本文成功地用软化学的方法在较低温度下制备了氧化锌亚微米 棒有序阵列，研究了生长温度对ZnO棒阵列形貌的影响，讨论了生