沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响.pdfVIP

第29卷专辑I V01．29 武汉理工大学学报 Suppl．I WUHANUNIVERSITYOFIELT-INOLOGY 2007年5月 JOURNALOF May．2007 沉积功率对多晶硅薄膜结构和光学性质的影响 沈峰，夏冬林，李蔚，赵修建 (武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室，武汉430070) 摘要：采用等离子体化学汽相；冗积,(PECVD)方法在普通玻璃衬底上制备出多晶硅薄膜。研究了在不同沉积功率下 的薄膜的沉积速率、晶相结构、吸收系数和光学禁带宽度。实验结果袁明，沉积功率为140W时薄膜沉积速率最大，达到 7．8rim／rain。沉积功率为30W多晶硅薄膜的晶粒较大，平均尺寸200姗左右。沉积功率为100W薄膜有较高结晶 度，晶化率达到68％。薄膜样品在波长为500nlll的光吸收系数达到6×104crfl-‘，在不同功率下样品的光学禁带宽度在 1．7伊一1．85 eV之间变化。 关键词： 多晶硅薄膜； 沉积速率； 吸收系数；光学带隙 中图分类号： O 文献标志码： A 47；053 InfluenceofRFPoweronStructureand of OpticalProperties SiliconThinFilms Polycrystalline SHEN Wei，ZHAO Feng，XIADong-lin，LI Xiu-jian ofSilicate Scienceand of of (Key Materials Engineering Education， Laboratory Mimstry Wuhan of Technology，Wuhan430070，China) University siliconthinfilmWaSfabricated enhancedchemical on substrate． Abstract：Polycrystalline byplasma vapordepositionglass The coefficientand ofthefilmwerestudiedatdifferent rate，crystallinemicrostmcture，absorption deposition opticalbandgap RF indicatedthatthe rateincreaseswithincreaseofRF RF 30W power．It dep06ition linearly power；lowpower corresponded tOthe sizeof of200 thinfilmhasthebest fractionof68％atRF 100W：the large cry