纤锌矿GaN／AlN应变柱形量子点中杂质态结合能及其压力-发光学报.PDFVIP

第３２卷　第２期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３２ Ｎｏ２ ２０１１年２月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｆｅｂ．，２０１１ 文章编号：１０００７０３２（２０１１）０２０１１５０７ 纤锌矿 ＧａＮ／ＡｌＧａ Ｎ应变柱形量子点中 ｘ １－ｘ 杂质态结合能及其压力效应 １ １，２ 张文强 ，闫祖威 （１．内蒙古大学 物理科学与技术学院，内蒙古 呼和浩特　０１００２１； ２．内蒙古农业大学 理学院，内蒙古 呼和浩特　０１００１８） 摘要：考虑应变及流体静压力，在有效质量近似下，利用变分法计算了无限高 ＧａＮ／ＡｌＧａ Ｎ应变柱形量子 ｘ １－ｘ 点中类氢杂质结合能。结果表明，在量子点尺寸较小情况下，应变增加了杂质态结合能；而在量子点尺寸较 大情况下，应变降低了杂质态结合能。随着Ａｌ摩尔分数的增加，杂质态结合能减小。杂质态结合能随着流体 静压力的增加而增大，在量子点尺寸较小的情况下，流体静压力对杂质态结合能的影响更明显。 关　键　词：量子点；类氢杂质；应变；流体静压力 中图分类号：Ｏ４７１．３　　　ＰＡＣＳ：７３．２１．Ｌａ　　　ＰＡＣＣ：７３２０Ｄ　　　文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０１１５ 文献［９１２］研究了流体静压力对半导体低维结构 １　引　　言 ［１３］ 杂质态的影响，Ｓ．Ｍａ等 研究了流体静压力下 ［１４］ 半导体量子点结构由于其独特的三维量子限 量子点的ＰＬ光谱，Ｄｕｑｕｅ等 从理论上研究了 制效应而表现出许多独特的光、电特性，因而成为 柱形量子点中流体静压力对光学输运性质的影 人们的研究热点。由于杂质的存在会极大地影响 响。但是，大多数作者都忽略了流体静压力对应 ［１５］ 电子迁移率及其光学性质，所以在低维半导体系 变调制的作用，只有少数作者如Ｈａ等 考虑了 统中对类氢杂质的研究已成为主要研究课题之 流体静压力的作用。到目前为止，在量子点中考 一。在量子点中，由于纤锌矿氮化物自身结构特 虑流体静压力对应变的影响的理论研究还很少。 性及晶格失配引起的内建电场达 ［１２］ 本文在有效质量近似下，考虑内建电场和应变对 ＭＶ／ｃｍ ，其 电学性质、介电性质和光学性质都将受强内建电 参数的调节及压力效应，采用变分法研究了无限 ［３４］ 高势垒柱形量子点中的杂质态结合能。文章的第 场的影响 。许多作者在这一方面作了深入研 ［５］ 一部分给出理论模型，第二部分进行数值计算及 究，如Ｘｉａ等 计算了考虑内建电场情况下柱形 ［６］ 结果的讨论，最后对文章进行简要总结。 ＩｎＧａＮ量子点的杂质态结合能，Ｓｈｉ