一、常用器件(天大模电).ppt

第一章 常用半导体器件 1.1 半导体二极管 1.2 双极型三极管 1.3 场效应管 1.1.2 半导体二极管的伏安特性曲线 1.2 双极型半导体三极管 1.2.1 双极型半导体三极管的特性曲线 1.2.2 半导体三极管的参数 1.2.1 双极型半导体三极管的特性曲线 1. 2. 2 半导体三极管的参数 1、电流放大系数 （1）共发射极电流放大系数 ?=?IC/?IB?vCE=const （2）共基极电流放大系数 α=?IC/?IE? VCB=const 2、极间反向电流 （1）集电极基极间反向饱和电流ICBO （2）集电极发射极间的反向饱和电流ICEO 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 1.3 场效应管 1、效应管特性曲线 2、场效应管参数 1.3.2 场效应三极管的参数 1、 开启电压VGS(th) (或VT) 2、 夹断电压VGS(off) (或VP) 3、 饱和漏极电流IDSS 4、 输入电阻RGS 5、低频跨导gm 6、最大漏极功耗PDM 几种常用的场效应三极管的主要参数 1.1 半导体二极管 1.1.1 半导体二极管的结构类型 1.1.2 半导体二极管的伏安特性曲线1.1.3 半导体二极管的参数 1.1.4 二极管电路分析 1.1.5 稳压二极管 1.1.1 半导体二极管的结构类型 (1) 点接触型二极管— PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (c)平面型 (3) 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管— PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 1、正向特性 （1）0＜V＜Vth Vth——死区电压 开启电压 （2）V＞Vth 2、反向特性 （1）VBR＜V＜0 （2） V≥VBR VBR——反向击穿电压 二极管的伏安特性曲线 IS －反向饱和电流， V－ 为二极管两端的电压降， VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 1.1.3 半导体二极管的参数 (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压VBR——— 和最大反向工作电压VRM 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压VBR。 为安全计，在实际 工作时，最大反向工作电压 VRM一般只按反向击穿电压 VBR的一半计算。 (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 动态电阻rd 在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?VF /?IF 1.1.4 二极管电路分析 1、二极管模型 （1）U－I模型 （2）恒压降模型 1.1.5 稳压二极管 稳压二极管的伏安特性 (a)符号 (b) 伏安特性 (c)应用电路 稳压二极管的参数: (1) 稳定电压VZ — (2) 动态电阻rZ — 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 其概念与一般二极管的动态电阻相同，只不过稳压二极管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。 rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rZ =?VZ /?IZ (3) 最大耗散功率 PZM — 稳压管的最大功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时PN结的功率损耗为 PZ= VZ IZ，由 PZM和VZ可以决定IZm