光伏资料—制绒工艺培训.ppt

制 绒 工 艺 培 训 工 艺 部 主要内容 制绒目的 制绒原理 RENA制绒工艺流程 工艺常见问题以及解决方法 制绒工序岗位职责 注意事项 一、制绒目的 ?? 消除表面硅片表面有机沾污（HF）和金属杂质（HCL） ?? 去除硅片表面的机械损伤层 ?? 在硅片表面形成绒面，增加太阳光的吸收减少反射，增加PN结面积，提高短路电流（Isc），最终提高电池光电转换效率 绒面不仅仅是腐蚀坑洞，也是改善表面态的有效手段，绒面制作不好表面态难以补偿，悬挂键大幅度增加，少子寿命复合严重，Isc的提高几乎不可能。 多晶硅切割过程 陷光原理 光在光滑半导体薄片表面 陷光原理图 上的反射、折射和透射 当入射光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面形成二次吸收或者多次吸收，从而增加吸收率。 在绒面硅片上制成PN结太阳电池，它有以下特点: 绒面电池比光面电池的反射损失小，如果再加减反射膜，其反射率可进一步降低。 入射光在光锥表面多次折射，改变了入射光在硅中的前进方向，不仅延长了光程，增加了对红外光子的吸收，而且有较多的光子在靠近PN结附近产生光生载流子，从而增加了光生载流子的收集几率。 在同样尺寸的基片上，绒面电池的PN结面积比光面大得多，因而可以提高短路电流，转换效率也有相应提高。 绒面也带来了一些缺点:一是工艺要求提高了；二是由于它减反射的无选择性，不能产生电子空穴对的有害红外辐射也被有效地耦合入电池，使电池发热；三是易造成金属接触电极与硅片表面的点接触，使接触电阻损耗增加。 单晶和多晶绒面 单晶绒面 多晶绒面 显微镜下观察绒面 。 多晶硅制绒是损伤层的去除和制绒面同时进行的，控制的主要参数是减薄量，为保证损伤层的去除干净，减薄量必须要够，但不能过大，减薄不够导致损伤层去除不净，腐蚀坑过深过窄，减薄过大导致腐蚀坑过大，大的不规则腐蚀坑洞较多，绒面一致性差等。 三、RENA制绒工艺流程 制绒设备 3.1 RENA制绒原理 RENA是通过化学反应来进行硅腐蚀的，其反应体系很复杂。以下是其中的几个反应方程式： Si+2HNO3+6HF=H2SiF6+2HNO2+2H2O 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O 3Si+2HNO3+18HF=3H2SiF6+2NO+4H2O+3H2 5Si+6HNO3+30HF=5H2SiF6+2NO2+4NO+10H2O+3H2 尽管很复杂，但反应可以分成两步： 硝酸/亚硝酸（HNO2）将硅氧化成二氧化硅（主要是亚硝酸将硅氧化）。 二氧化硅和氢氟酸反应（快反应），生成四氟化硅和水（快反应），四氟化硅又和水化合成氟硅酸进入溶液。 第一步： 链的触发 硝酸将硅氧化成二氧化硅，生成二氧化氮或一氧化氮 Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O (慢反应) Si+2HNO3=SiO2+2NO+2H2O (慢反应) 链的扩展 二氧化氮、一氧化氮与水反应，生成亚硝酸，亚硝酸很快地将硅氧化成二氧化硅 2NO2+H2O=HNO2+HNO3 (快反应) Si+4HNO2=SiO2+4NO+2H2O (快反应)（第一步的主反应） 4HNO3+NO+H2O=6HNO2(快反应) 只要有少量的二氧化氮生成，就会和水反应变成亚硝酸，只要少量的一氧化氮生成，就会和硝酸、水反应很快地生成亚硝酸，亚硝酸会很快的将硅氧化，生成一氧化氮，一氧化氮又与硝酸、水反应。造成硅的快速氧化，硝酸则最终被还原成氮氧化物。 第二步: 二氧化硅生成以后，很快与氢氟酸反应 SiO2+4HF=SiF4+2H2O;(四氟化硅是气体) SiF4+2HF=H2SiF6。 总反应: SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O 最终腐蚀掉的硅以氟硅酸的形式进入溶液。 亚硝酸本身并不是特别稳定，它会慢慢分解，在时刻时停的小批量生产时，溶液中的亚硝酸浓度的平衡点不会超过一定的限度，刻蚀溶液会一直保持无色。大批量生产时，亚硝酸浓度平衡点会有所上升，亚硝酸浓度的略微增加，会导致有一个有趣的现象——溶液颜色变成淡绿色和绿色。 只要减薄量正常，溶液颜色变绿不会对片子效率产生任何影响。刻蚀不合格片时可能会将一些杂质引入刻蚀溶液，污染刻蚀溶液，但这与变绿无关。 3.2 碱洗槽 KOH溶液，主要中和前道残留在硅片表面的酸，同时对形成的多孔