半导体材料与器件- 第六周.ppt

1.3 半导体的能带结构 Eg 6 eV Eg 绝缘体 半导体 价带 导带 导体 第一章 半导体的基础知识 禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量。 Si的原子序数比Ge的小，则Si的价电子束缚得较紧，所以Si的禁带宽度比Ge的要大一些。 GaAs的价键还具有极性，对价电子的束缚更紧，所以GaAs的禁带宽度更大。 GaN、SiC等所谓宽禁带半导体的禁带宽度更要大得多，因为其价键的极性更强。 举例 Ge、Si、GaAs、GaN和金刚石的禁带宽度在室温下分别为0.66eV、1.12 eV、1.42 eV、3.44 eV和5.47 eV。 直接带隙和间接带隙 直接带隙 间接带隙 第一章 半导体的基础知识 直接带隙半导体材料 导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。 第一章 半导体的基础知识 间接带隙半导体材料: 导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。 第一章 半导体的基础知识 直接带隙和间接带隙半导体的对比分析 价带的极大值和导带的极小值都位于k空间的原点上 价带的电子跃迁到导带时，只要求能量的改变，而电子的准动量不发生变化，称为直接跃迁 直接跃迁对应的半导体材料称为直接禁带半导体 例子：GaAs，GaN，ZnO 价带的极大值和导带的极小值不位于k空间的原点上 价带的电子跃迁到导带时，不仅要求电子的能量要改变，电子的准动量也要改变，称为间接跃迁 间接跃迁对应的半导体材料称为间接禁带半导体 例子：Si，Ge 第一章 半导体的基础知识 直接跃迁和间接跃迁 考虑到光子的动量较小，可以忽略; 因而电子吸收或放出一个光子，发生跃迁时电子的动量基本不变; 单纯的光跃迁过程是直接跃迁，效率高; 间接跃迁为了能量守恒，必须有声子参加，因而发生间接跃迁的概率要小得多 第一章 半导体的基础知识 GaN是直接带隙的材料，其光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级。因此，宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景；对环保，其还是很适合于环保的材料体系。 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 ( a ) 点接触型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 ( b ) 面接触型 半导体二极管的结构和符号 二极管的结构示意图 阴极 阳极 ( d ) 符号 D 第一章 半导体的基础知识 A：阳极/正极 B：阴极/负极 二极管的伏安特性与PN结伏安特性一致。 二极管主要参数： 1．? 最大正向电流IF 2．? 反向击穿电压U（RB） 3．? 反向电流IR 4．? 最高工作频率FT 和反向恢复时间tre 5、 温度影响 A B D 第一章 半导体的基础知识 1、分析二极管的状态： 导通还是截止---二极管的两端电压：若是反偏则截止；若是正偏还要看P的电压是否比N的电压高Uon（导通电压）是则导通，否则截止。若是理想二级管，Uon=0V。 第一章 半导体的基础知识 2、二极管导通则相当于一导线（理想状态）或一个小电阻（非理想状态）；截止则相当于断开的开关。 第一章 半导体的基础知识 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 二极管的单向导电性 第一章 半导体的基础知识 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。(温度越高，载流子数目越多) 第一章 半导体的基础知识 第一章 半导体的基础知识 作用：一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。整流二极管的作用是利用其单向导电性，将交流电变成直流电。  第一章 半导体的基础知识 第一章 半导体的基础知识 整流二极管 硅管 锗管 高频整流二极管 低频整流二极管 大功率整流二极管 中、小功率整流二极管 金属封装 塑料封装 玻璃封装 表面封装 整流二极管 封装类型 稳压二极管又叫齐纳二极管;此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根