华东理工大学大物下期末辅助ppt 第九章静电场中的导体和电介质.ppt

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华东理工大学大物下期末辅助ppt 第九章静电场中的导体和电介质

§9-3 静 电 场 中 的 电 介 质 在外电场中达到平衡时 电介质——是由大量电中性的分子组成的绝缘体 一、电介质的电结构及分类: 1.共性:分子中电子处于束缚状态 2.分类: 无极分子—分子正负电荷 中心重合,分子无固有电矩。 CH4 C H H H H 甲烷分子 H C H + H + H + + 正负电荷 中心重合 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 有极分子—分子正负电荷中心不重合,分子有固有电矩。 水分子 H2O . . . O H H + P e 负电荷 中心 H O + H + + 正电荷中心 - 二、介质的极化 2. 有极分子的转向极化 1. 无极分子的位移极化 l E’ 极化后的效果: 1)在介质表面出现极化电荷 2)极化电荷在介质内部产生一个附加场E’ 3)介质中的总场强 E = E0-E’? E0 :自由电荷产生的场强。 :极化电荷产生的极化场强。 其中Pei 是第i个分子的电偶极矩 三、电极化强度P 实验指出: 真空时为零 均匀介质:恒量 非均匀介质:变量 极化电荷与极化强度的关系(考虑均匀介质情况) 电介质内部任一闭合曲面: 闭合面内的极化电荷总量等于通过该面的极化强度通量的负值 电介质表面: 极化电荷面密度等于 极化强度沿表面外法 线方向的分量。 + - 四、有电介质时的高斯定理 定义电位移矢量 ——电学的辅助量 得:有介质时的高斯定理: 物理意义:通过任一闭合曲面的电位移通量,等于该曲面内所包围的自由电荷的代数和。 有介质: + + + + σ + E ′ ′ ′ σ σ + + + + σ + 0 0 + E 0 真空: 介质的极化 1)在介质表面出现极化电荷 2)极化电荷在介质内部产生一个附加场E’ 3)介质中的总场强 E = E0-E’? E0 有介质时的高斯定理: ?’ ※介质与自由电荷具有相同的对称分布的系统: 且可以证明: D 线起源于自由正电荷或无穷远处 终止于自由负电荷或无穷远处 五、D 线和 E 线的区别: E 线起源于任何正电荷或无穷远处 终止于任何负电荷或无穷远处 例9-6、在半径为R1金属球之外有一层外半径为R2 的均匀介质层,设介质的相对介电常数为?r ,金属球带电量q0。求: (1)介质层内外的D、E、P分布 (2)介质层内外表面极化电荷面密度。 R2 R1 在rR1范围内D线是连续的 解: R1 R2 E线 不连续 * 第九章 静 电 场 中 的 导 体 和 电 介 质 导体 绝缘体 半导体 导体: 存在大量的可自由移动的电荷 绝缘体: 理论上认为一个自由移动的电荷也没有也称 电介质 半导体 :介于上述两者之间 §9-1 静 电 场 中 的 导体 外电场 导体内自由电子定向运动 推动 导体的电荷分布 改变 最后达到静电平衡 影响 静电感应——在静电场力作用下,导体中电荷重新分布 的现象。 一、导体达到静电平衡的条件和性质 1.静电感应与静电平衡 静电平衡——导体中电荷的宏观定向运动终止,电荷 分布不随时间改变。 2.静电平衡条件: 用场强来描写: 1)导体内部场强处处为零; + + + + + + + + + + E E// E? 2)表面场强垂直于导体表面。 用电势来描写: 导体为一等势体;导体表面是一个等势面。 ∥ 证明: · · · a d · c b 二、静电平衡时带电导体上的电荷分布 电荷分布在导体表面,导体内部处处无净电荷。 (1) 实心导体: + + + + + + + + + + + + + + 证明:假设导体内部某区域内有净电荷, + + + 这说明高斯面上至少有一区域E不为0,导体还未达到静电平衡,和静电平衡的前提相矛盾。 E . d S = Σ i s ò ò ε 0 q 1 0 根据高斯定理有: 作一个包围该电荷的高斯面S 。 S 1.电荷分布在导体表面 这说明导体不是等势体,和静电平衡 的前提相矛盾。所以这种电荷分布是不 可能出现的。 + + + + + + + + + + + + + + + 则:必有如图的电场线 证明: + + - - (2) 空腔导体: 电荷分布在导体外表面,导体内部及腔体的内表面处处无净电荷。 静电平衡的导体 一.场强: 二.电势:整个导体为一等势体。 三.电荷分布 1.电荷分布在导体表面 电荷分布在导体表面,导体内部处处无净电

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