电子材料导论总结.pptVIP

5.1.6 半导体的热电性质 热能从高温传递到低温部分 与温度梯度、传导时间，横截面积成正比 塞贝克效应（Seeback）： 由两种不同材料组成闭合回路，若两接触点存在温差，则在回路中会有电流通过，即温差电流 温差电动势。 高频温度稳定型介电陶瓷 精确谐振点，要求ε稳定，且温度系数低甚至接近于零。 常用材料：MgTiO3,CaSnO3体系。 钛酸镁二元体系： 正钛酸镁(2MgO.TiO2) 二钛酸镁(MgO.2TiO2) 偏钛酸镁(MgO.TiO2) 1 砷化镓 GaAs 直接跃迁，光子能量1.4eV，波长900nm，近红外区 应用：红外发光源，红外光电子器件 电子束激发，杂质浓度1018～1019cm-3，发光效率最好；先成正比提高，再降低，因为载流子浓度过高形成非发光中心和饿歇效应 进行Si（两性杂质）掺杂，形成施主或受主；N-GaAs掺杂，得到发光二极管 离子置换条件 烧结Nd-Fe-B 1 Nd2Fe14B相 2 富B相 3 富Nd相 Nd2Fe14B相晶粒呈多边形，四方结构，唯一的永磁相，体积比决定合金磁性能 富B相以孤立或颗粒状存在，晶界处，亚稳定相 富Nd相，20nm厚，薄层状或少量块状，把基相晶粒包围 压电效应： 当在某一特定方向对晶体施加应力时，在晶体两端表