反应磁控溅射制备cdte太阳电池前电极ito薄膜的性质研究.pdfVIP

第40 卷第2 期 西南民族大学学报·自然科学版 Mar. 2014 Journal of Southwest University for NationalitiesNatural Science Edition ___________________________________________________________________ doi: 10.3969/j.issn.1003-4271.2014.02.19 反应磁控溅射制备CdTe 太阳电池前电极ITO 薄膜的 性质研究 刘霄, 曾广根, 张静全, 杨志军, 王文武, 武莉莉, 李卫, 黎兵, 冯良桓 (四川大学材料科学与工程学院, 成都 610065) 摘 要: 使用反应直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ITO 薄膜作为CdTe 多晶薄膜太阳电池的前电极, 研究了氧分压 和衬底温度对ITO 薄膜光电性能及结构的影响. 通过四探针、紫外可见分光光度仪, X 射线衍射(XRD)和霍尔测试仪等 测试手段对薄膜进行了表征. 结果表明：随着氧分压和衬底温度的升高, ITO 薄膜在可见光区域的透过性能明显增强, 但 是薄膜的载流子浓度下降, 霍尔迁移率也逐渐降低, 同时薄膜的电阻率逐渐增大. 在结果分析的基础上, 选用衬底温度 300℃, 1.4%的氧分压条件制备出可见光透过率在80%以上, 电阻率为5.3×10-4Ω·cm 的ITO 薄膜, 将其应用于碲化镉多 晶薄膜太阳电池, 电池的转换率可以达到10.7%. 关键词：氧化铟锡; 直流磁控溅射; 电学性能; 太阳电池 中图分类号: O56 文献标识码: A 文章编号: 1003-4271(2014)02-0265-06 1 引言 [1-5] 透明导电薄膜(TCO) 以其可控的光学和电学特性被广泛应用于平板液晶、有机发光、太阳电池等领域 , 在 光电器件的巨大应用潜力使TCO 薄膜的研究受到了广泛关注. 目前, ITO(氧化铟锡)薄膜被广泛应用于各类太阳 [6-8] 20 -3 -4 [9] 电池 . ITO 薄膜具有较高的载流子浓度(~10 cm )和较低的体电阻率(~10 Ω·cm) , 此外ITO 薄膜的禁带宽 度较宽(3.5~4.3ev)[9], 对近红外和可见光区域具有良好的透过特性, 是太阳电池非常理想的电极材料. ITO 薄膜的光电性能是影响太阳电池转换效率的重要因素, 深入研究制备条件对ITO 薄膜光电性能的影响 对提高太阳电池的光电转换性能具有十分重要的意义. 目前, 制备 ITO 薄膜常用的方法有磁控溅射, 电子束蒸 发, 喷涂法, 气相化学沉积, 激光脉冲沉积, 溶胶-凝胶法等[10-12]. 其中, 磁控溅射法具有工艺参数精确控制, 重 复性好, 溅射速率快, 膜层与衬底结合性好等特点, 可制备出性能优异的ITO 薄膜. 国外, Sung-Hwan Paeng 等人 [13] 使用射频磁控溅射研究了低温下制备出的ITO 薄膜的性能 , Kun-San Tseng 等人对直流磁控溅射在PET 柔性衬 [14] 底上制备的ITO 薄膜性能进行了研究