脉冲溅射功率对含硅量子点sicx薄膜的结构和光学特性的-光子学报.pdfVIP

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2017-11-15 发布于天津
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脉冲溅射功率对含硅量子点sicx薄膜的结构和光学特性的-光子学报.pdf

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脉冲溅射功率对含硅量子点sicx薄膜的结构和光学特性的-光子学报

第卷第期光子学报 46 12 Vol.46No.12 年月 2017 12 ACTAPHOTONICASINICA December2017 : / doi10.3788 zx1231002 g 脉冲溅射功率对含硅量子点SiC薄膜的结构和 x 光学特性的影响 , , , , , 12 12 12 12 12 , , , , 赵飞杨雯莫镜辉张志恒杨培志 ( , ) 1可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室昆明 650500 ( , ) 2云南师范大学太阳能研究所昆明 650500 : 摘要采用射频和脉冲磁控共溅射法并结合快速光热退火法制备了含硅量子点的薄膜采用掠入 SiC . x 、、射射线衍射喇曼光谱紫外可见近红外分光光度计和透射电子显微镜对薄膜进行表征研究了脉 X - - . 、、 : 冲溅射功率对薄膜中硅量子点数量尺寸晶化率和薄膜光学带隙的影响结果表明当溅射功率从 . 70W , , , , ; 增至100W 时硅量子点数量增多尺寸增至5.33nm 晶化率增至68.67% 而光学带隙则减至1.62eV , , , , 随着溅射功率进一步增至110W 时硅量子点数量减少尺寸减至5.12nm 晶化率降至55.13% 而光学 , 带隙却增至在本实验条件下最佳溅射功率为 2.23eV. 100W. : ; ; ; ; 关键词脉冲溅射功率硅量子点 SiC薄膜磁控溅射快速光热退火 x 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: