第一次模电讲座课件.ppt

期末考试时间：2016年1月14日上午 考试内容：第一章 ~ 第十章 考试重点：第三 ~ 九章，课堂讲述内容 考试形式：闭卷 考试题型：填空、选择、简答、计算 成绩组成：作业20分、课程设计10分、 期中20分、期末50分 答疑时间：考前两天(具体地点模电课程组统一安排) 例： 在电子设备中测得某放大管三个管脚对机壳的电压。 1. 直流通路→计算放大器的工作点 造成低频段增益下降的主要因素：电路中的外部电容(耦合电容、旁路电容等大电容) 造成高频段增益下降的主要因素：电路中的内部电容(PN结电容、分布电容等小电容) 频率失真和非线性失真的异同： 需两个动画 (d)同一电路支路上，电流方向不能冲突 多级放大器级与级之间、信号源与放大器之间、放大器与负载之间的连接方式，或者说信号传输方式。 13 基本题型！ 习题2.10 1.因为在高频段幅频特性为-60dB/十倍频，所以电路为三级放大电路； 因为下限截止频率为0，所以电路为直接耦合电路； 2. － 135o；3. －270o； 5. 从图中衰减斜率可知，该三级放大电路各级的上限频率均为104Hz，故整个上限频率fH = 0.52f1 = 5.2kHz 1.因为在高频段幅频特性为-60dB/十倍频，所以电路为三级放大电路； 因为下限截止频率为0，所以电路为直接耦合电路； 2. － 135o；3. －270o； 5. 从图中衰减斜率可知，该三级放大电路各级的上限频率均为104Hz，故整个上限频率fH = 0.52f1 = 5.2kHz 例2. 如图，已知gm = 5mS，rds → ?， 试求：交流性能指标Au、Ri、Ro。 分析→ Ri = RG+ R1∥R2 = 5.04M? Ro= rdS ∥RD ≈20k? 例3. 图示为共基放大电路，UBE=0.7V，? ＝100，rbb’=200? 所有电容均可视为交流短路。求Au、Ri、Ro。 解题思路及分析→ 关键是求出IEQ u o + - RL u i RC i 例4. 晶体管的? ＝60，rbb’=100? 。 (1) 设Us＝10mV(有效值)， 问Ui＝？Uo＝？ (2) 若C3开路，则Ui＝？ Uo＝？ 分析关键是求出Ui→ 例5. ICQ＝2mA，UCES＝0.6V。问：RL＝? 和RL＝3k?时， 电路的最大不失真输出电压各为多少伏？ 解题过程→ 绘制交流负载线， 空载时，交直流负载线重合； 带载时，交直流负载线不重合， (1) 穿透电流的测量方法： 分析→ 基极开路， C、E间接+VCC时，C、E间流通的电流 (2)某放大电路的直流通路如图所示，设UBE=0.7V，?=50，求UO。 小知识点(1) (1) BJT中多数载流子和少数载流子都参与导电，所以BJT称为双极型晶体三极管；FET中只有一种载流子参与导电，所以FET称为单极型晶体三极管；BJT为电流控制器件(CCCS)，FET为电压控制器件(VCCS)。 小知识点(2) (2)在BJT放大电路中，直流电源作用主要有两个：1)为放大管提供合适的偏压及偏流；2)提供放大电路能量转换的来源。 (3)CC放大电路的特点：1)AU≈1，输出与输入基本相等，且同相；2)输入电阻大；3)输出电阻小。 (4)基极分压式偏置电路稳定Q点的稳定过程如下：T↑→IC↑→IE↑→UE↑而UB不变→UBE↓→IB↓→IC↓ (1)常温下，杂质半导体中少子由 本征激发 而产生，多子主要由 杂质原子 而产生。 (2)把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电性 。 (3)BJT工作在放大区的偏置条件是 发射结正偏、集电结反偏。 (4)为了反映放大电路各方面的性能，常分析的主要动态性能指标有：放大倍数、输入电阻、输出电阻 、通频带、最大不失真输出电压以及输出功率效率等。 (5)对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共射(CE)、共集(CC)和 共基(CB)三种组态基本放大电路。 小知识点(3) (1)分析放大电路时，应遵循 先静态后动态 的原则，求解静态工作点时应利用 直流 通路，求解动态参数时应利用 交流 通路。 (2)放大电路中出现饱和失真和截止失真的原因是静态工作点不合理以及输入信号幅度大。 (3)复合管的组成原则 (4)…… (5)…… 小知识点(4) Chap.2 基本方程公式 1. 交流性能指标 2. 小信号模型中的交流参数 FET的跨导 发射结动态电阻 Chap.5 放大电路的频率响应 相同点→都表现为输出波形的畸变 差异→ 非线性失真的输出信号中增加了新的频率