硅片加工表面抛光.ppt

上章内容回顾 加工的对象：硅切割片 加工的过程：倒角、研磨、热处理 加工的目的： 倒角—1. 防止崩边；2. 热处理过程中，释放应力 负面效应（形成边缘应力） 研磨—减薄表面损伤层，为进一步抛光创造条件 负面效应（形成面内螺旋式应力分布） 热处理—1. 消除热施主；2. 释放应力 为何是对硅片，而不对硅锭，进行热处理？ 1) 大块单晶不容易均匀受热，加热后易发生崩裂，（热膨胀系数各向异性的），而硅片尺寸小，散热快，不易于崩裂。 2) 对硅片热处理，可以消除倒角和磨片过程中形成的应力。 加工效果的评估 损伤层：大幅减薄，大约还有20～30μm 粗糙度：大幅减小，大约还有10～20μm 应力：内部已经消除 电阻率温度稳定性：较好—消除了热施主 杂质污染：存在不可避免的金属等污染，一般在浅表层。 待进一步加工： 损伤层，粗糙度， 洁净 抛光 清洗 下一章的工艺 硅片的表面抛光——进一步提高硅片表面的平整度。 第四章 硅片表面的抛光技术 主要内容： 1. 抛光片的特性参数。 2. 抛光的基本流程：化学减薄—抛光。 3. 典型的抛光方法—CMP CMP: Chemical Mechanism polish 4. 抛光的工艺流程。 硅片抛光的意义 硅加工中，多线切割、研磨等加工过程中，会在表面形成损伤层，从而使得表面有一定粗糙度。抛光就是在磨片基础上，通过化学机械研磨方式，进一步获得更光滑、平整的硅单晶表面的过程。 研磨片粗糙度(抛光前)：～10-20um 抛光片粗糙度(抛光后)：～几十nm 研磨和抛光中关注的参数 研磨片：一定厚度的薄片，是一种体材料，只关注某些体的特征参数，如厚度、翘曲度，和表面的参数，如崩边。 抛光片：有光滑表面的硅片，主要关注加工的硅表面的特征参数。 1. 抛光片的特性参数 1）硅片的理想状态 2）硅片表面的平整度 3）硅片表面的缺陷 1）硅片理想状态 硅片的理想状态： a: 硅片上、下表面之间，对应的测量点的垂直距离完全一致，且任意表面均与理想平面相平行。 b: 硅片表面晶格完整，所有非饱和的悬挂键位于表面的二维平面内。 c: 无杂质污染，无各种晶体缺陷。 理想平面：指几何学上的理想的、完美的平整平面。 2） 硅抛光片表面的平整度 定义：标志表面的平整性，指硅片表面与理想基准平面的最大偏离。 描述平整度的两个参数： a: 总指示读数(TIR)：硅片抛光表面最高点和最低点之差，即峰谷差值，只为正值。 b: 焦平面偏差(FPD)：表面最高点和最低点二者中，偏离基准平面的最大值，可以是正或负值。 TIR和FPD的示意图 抛光片的其它参数 抛光片的其它参数：厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度等 硅片厚度：硅片中心点位置的厚度。 总厚度变化TTV：最大与最小厚度的差值 TTV=Tmax-Tmin 弯曲度和翘曲度 弯曲度：是硅片中线面凹凸形变的最大尺寸。 翘曲度：硅片中线面与一基准平面之间的最大距离与最小距离的差值。 硅片的中线面：也称中心面，即硅片正、反面间等距离点组成的面，即中心层剖面。 弯曲度 单向翘曲 双向翘曲 3）硅抛光片的表面缺陷 缺陷的种类： a: 和研磨片类似的缺陷：崩边、缺口、裂纹等 b: 特有的表面缺陷：划痕、凹坑、波纹、沾污、色斑、橘皮、雾、氧化层错、涡旋、电阻率条纹等 划痕：研磨颗粒划出的狭长的沟槽，一般不会很深，重划痕～0.12um。 凹坑：表面上的凹陷小坑 波纹：大面积的，肉眼可见的，类似波纹的不平坦区。 沾污：吸附于表面的各种污染颗粒。 色斑：化学性沾污。 橘皮：大面积的，大量突起小丘的群体。 雾：大面积的，大量不规则缺陷（如小坑）引起的光散射现象，常常形成雾状。 2. 抛光前的化学减薄 1）化学减薄的作用。 2）化学减薄的方法。 3）化学减薄的工艺流程。 1）化学减薄与作用 定义：采用化学腐蚀的方法，将硅片表面进行化学剥离，从而减薄损伤层，为抛光创造条件。 化学减薄的作用： 减少抛光过程的去除层厚度。 使硅片表面洁净—去除表层。 消除内应力—去除损伤层。 化学减薄的作用 2）化学减薄的方法 a: 酸性腐蚀 b: 碱性腐蚀 酸性腐蚀 腐蚀液组成： [HF]:[HNO3]:[HAc]乙酸=(1~2):(5~7):(1~2) 反应的特点： 优点：反应速度快，过程中放热，不需要加热，典型速度0.6～0.8um/s。 缺点：反应生成的氮化物，污染环境。 碱性腐蚀 腐蚀液组成： NaOH