半导体二极管三极管基本知识(补充).ppt

2.2 半导体二极管和三极管的开关特性 2. 锗、硅晶体的共价键结构 （1） 原子结构 （2） 晶格与共价键 3. 本征半导体与本征激发 本征半导体：高度纯净，结构完整的半导体。 空穴的运动 4. 杂质半导体 （1） P型半导体 （2） N型半导体 在本征半导体中掺入少量的 5价元素（如磷）形成。 结 论 ◆掺杂会大大提高半导体中载流子浓度，使导电性能大增。 ◆掺入五价杂质产生N型半导体（电子型半导体） 多子—电子、少子—空穴。 ◆掺入三价杂质产生P型半导体（空穴型半导体） 多子—空穴、少子—电子。 ◆多子浓度近似等于杂质浓度， 少子浓度与温度密切相关。 2.2.2 PN结的形成及特性 1. PN结的形成 2. PN结的单向导电性 (2) 外加反向电压 结论 ◆加正向电压，很小的电压能产生较大电流，外加电压很小变化，将引起电流的较大变化。 ◆加反向电压，只能产生微小的反向电流，且反向电流的大小几乎与反向电压无关。 ◆ PN结正向电阻小，反向电阻大，具有单向导电性。 (3) PN 结的V-I 特性 3. PN 结的反向击穿 2.2.3 半导体二极管 1. 半导体二极管的结构 半导体二极管是由PN结加电极引线封装而成的。 结构有： 点接触型 ：PN结面积小，极间电容小，高频特性好，但反向耐压较低，正向电流较小。 用于高频检波、开关器件等。 面接触型：PN结面积大，反向耐压较高，正向电流较大，用于整流。 2. 二极管的V-I 特性 (2) 反向特性 3. 二极管的参数 (1) 最大整流电流I F 管子长期运行允许通过的最大正向平均电流。 (2) 反向击穿电压VBR 反向电流急剧增加时所加的反向电压。 （参数表中一般规定反向电流所达到的值） 最高反向工作电压一般取击穿电压的一半。 (3) 反向电流I R 管子未发生电击穿时的反向电流。 （参数表中一般规定所应加的反向电压） 4.二极管基本电路及其分析方法 二极管是一种非线性器件，分析含二极管的电路一般采用图解法和模型分析法。 (1) 二极管正向 v—i 的建模 a.理想模型 b. 恒压降模型 二极管正向导通时，其管压降VF=常数 （硅管取0.7V）。 用于直流分析，电源电压较大，工作电流较大，而正向电压变化较小的情况。 c. 小信号模型 输入变化的信号，且信号幅度很小， 二极管工作在静态工作点Q附近的小范围内。 用过Q点的切线近似表示V-I 曲线上的一小段曲线。 切线斜率的倒数称微变电阻rd （动态电阻） rd的计算 (2)二极管模型分析法 a. 静态分析 ② 模型分析法 b. 限幅电路 (2) 设vi=6sinωt画出vo的波形及传输特性 c. 开关电路 在开关电路中，二极管一般采用理想模型。 关键是：判别二极管是导通，还是截止 方法是： 将理想二极管开路，计算两端的开路电压， 开路电压大于0，理想二极管导通，将其看作短路。 开路电压小于0，理想二极管截止，将其看作开路。 例1：判断下图中二极管是导通还是截止，并求输出端电压Vo（设二极管是理想的） 如果多个二极管的开路电压都大于0， 则先令正向电压较大的二极管先导通, 再重新计算其他二极管的开路电压， 重新考虑其工作状态。 例2： 例3: *2.2.4 特殊二极管 1. 稳压管 （1）原理 利用二极管反向击穿特性实现稳压。 反向击穿后，电流急剧增加，但电压基本不变。 （2）稳压管参数 ◆稳定电压VZ：反向电击穿时的工作电压。 ◆稳定电流IZ ： 测量稳定电压，动态电阻时的参考电流值。 iZIZ，稳压性能较好，rZ较小。 ◆最大稳定电流IZM：允许的最大电流。 IZ iZIZM ◆额定功耗PM：允许的最大功耗。 一般 PM =IZM VZ 。 ◆动态电阻rZ：反向击穿区斜率的倒数。 rZ=dvZ/diZ 。 ◆温度系数：温度变化1℃，稳定电压变化的百分数。 (1)BJT 的输入特性曲线 (2) 输出特性 处于放大区的条件 发射结正偏，集电结反偏。 NPN：vBE0 vBC≤0 （硅管vBE≈0.7V）, 特点： ① iC=?iB+ICEO≒?iB 在放大区内，iC受iB控制。 ② iB不变，iC受vCE的影响很小，呈现很好的恒流特性。 ③因为基区宽度调制效应，iC随vCE增加有微小增加。 （C）饱和区 发射结正偏，集电结正偏。 NPN：vBE0 vBC0 （硅管