基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD薄膜生长温度分析研究-红外技术.PDF

第29 卷 第2 期 红 外 技 术 Vol.29 No.2 2007 年2 月 Infrared Technology Feb. 2007 基于双热电偶校准ECR-PEMOCVD 薄膜生长温度分析研究 1 2 2 郎佳红 ，秦福文 ，顾 彪 （1.安徽工业大学电气信息学院，安徽 马鞍山 243002 ； 2.大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室，辽宁 大连 116024） 摘要：通过简单叙述Ⅲ族GaN 基氮化物薄膜，以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性， 提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEMOCVD 温度的方法。试验表明，置放样品的托盘温 度（薄膜的生长的真实温度）与生长环境温度（设定温度）是不一样的，两者的差异甚至很大。最后 讨论了在经过校温的系统上进行蓝宝石衬底的氢氮等离子体清洗实验，并通过RHEED 图像评价清洗 结果质量。 关键词：热电偶；ECR-PEMOCVD；蓝宝石；清洗；RHEED 中图分类号：TN312.8 文献标识码：A 文章编号：1001-8891(2007)02-0079-04 Study on Thin Film Growth Temperature by ECR-PEMOCVD Based on the Double Thermocouples 1 2 2 LANG Jia-hong ，QIN Fu-wen ，GU Biao (1. School of Electrical Engineering Information , Anhui University of Technology，Ma’anshan Anhui 243002, China ； 2. State Key Laboratory of Material Modification by Laser, Ion and Electron Beams, Dalian University of Technology, Dalian Liaoning 116024, China) Abstract ：According to the temperature parameters of growth system for semiconductor thin film, a method to calibrate the thin film growth temperature by ECR-PEMOCVD based on double thermocouple is introduced. Experiment data shows that environmental temperature is different from ones of sample tray. The cleaning of hydrogen and nitrogen ECR plasma on sapphire substrates are carried out in the calibrated temperature system and evaluated by analyzing RHEED image in ECR-PEMOCVD system. Key Words：thermocouples ；ECR-PEMCVD ；sapphire；cleaning；RHEED