掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响张越-物理学报.PDFVIP

掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响 张越 赵剑 董鹏 田达晰 梁兴勃 马向阳 杨德仁 Effectsofdopantsonthegrowthofoxidation-inducedstackingfaultsinheavilydopedn-typeCzochralski silicon ZhangYue ZhaoJian DongPeng TianDa-Xi LiangXing-Bo Ma Xiang-Yang YangDe-Ren 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,096105(2015) DOI: 10.7498/aps.64.096105 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.096105 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I9 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin He离子辐照6H-SiC 引入缺陷的光谱研究 SpectrastudyofHe-irradiationinduceddefectsin6H-SiC 物理学报.2014,63(21): 216101 /10.7498/aps.63.216101 沉淀剂对ZnO压敏陶瓷缺陷结构和电气性能的影响 Theeffectsof precipitantonthedefectstructuresandproperties of ZnOvaristor ceramics 物理学报.2013,62(22): 226103 /10.7498/aps.62.226103 Er 在KPb Br 晶体中的选择替位对上转换发光光谱的影响 Influenceofsite-selectivedopingofEr ontheupconversionspectrainKPb Br 物理学报.2013,62(21): 216101 /10.7498/aps.62.216101 氮掺杂的金刚石磁性研究 ThemagnetismstudyofN-dopeddiamond 物理学报.2013,62(16): 166102 /10.7498/aps.62.166102 强流脉冲电子束作用下金属纯Cu 的微观结构状态——变形结构 Microstructuresinpolycrystallinepurecopperinducedbyhigh-currentpulsedelectronbeamdeformation structures 物理学报.2011,60(8): 086106 /10.7498/aps.60.086106 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 9 (2015) 096105 掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错 生长的影响 张越 赵剑 董鹏 田达晰 梁兴勃 马向阳 杨德仁 1) (浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027) 2)(浙江金瑞泓科技股份有限公司, 宁波 315800) ( 2014 年10 月22 日收到; 2014 年11 月30 日收到修改稿) 对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF) 的生长, 以揭示掺杂剂对 重掺n 型直拉硅片的OSF 生长的影响. 研究表明: 在相同的热氧化条件下, 重掺锑直拉硅片的OSF 的长度大 于重掺磷硅片的. 基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明: 与磷原子相比, 锑原子是更有效的空位俘 获中心, 从而抑制空位与自间隙硅原子的复合. 因此, 在经历相同的热氧化时, 氧化产生的自间隙硅原子与空 位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多, 从而导致OSF 更长. 关键词: