如何在设计开关电源选型元器件.pptVIP

开关电源元器件的选用 1. 开关晶体管 　　开关电源中的功率开关晶体管是影响电源可靠性的关键元件。开关电源所出现的故障中约60%是功率开关晶体管损坏引起的。主电路中用作开关的功率管有双极型晶体管和MOSFET两种。 1.1 功率开关MOSFET 　　MOSFET分P沟道耗尽型、 P沟道增强型、 N沟道耗尽型和N沟道增强型4种类型。增强型MOSFET具有应用方便的“常闭”特性（即驱动信号为零时，输出电流等于零）。在开关电源中，用作开关功率管的MOSFET几乎全都是N沟道增强型器件。 MOSFET的主要特点：　　MOSFET是一种依靠多数载流子工作的典型场控制器件。它适应于100~200MHz的高频场合。　　 MOSFET具有负的电流温度系数，可以避免热不稳定性和二次击穿，适合在大功率和大电流条件下应用。　　在驱动模式上，属于电压控制型器件，驱动电路设计比较简单，驱动功率很小。 　　 MOSFET中大多数集成有阻尼二极管，而双极型功率晶体管中大多没有内装阻尼二极管。　　 MOSFET对系统的可靠性与安全性的影响并不象双极型功率晶体管那样重要。　　 MOSFET的主要缺点：　　导通电阻(RDS(on))较大，而且具有正温度系数，用在大电流开关状态时，导通损耗较大，开启门限电压VGS(th)较高（一般为2~4V），要求驱动变压器绕组的匝数比采用双极型晶体管多1倍以上。 MO