简化MOSFET和MOSCAP器件特性分析.PDFVIP

索引 1. 半导体特性分析挑战 2. 我知道低电平 DC 测量中有误差，但怎样识别和消除这些误差呢？ 3. 我的 AC 阻抗测量呢？我怎样诊断和校正误差？ 4. 在 MOSFET 和 MOScaps 上进行 DC 测量时怎样使误差达到最小？ 5. 在 MOSFETs 和 MOScaps 上进行常见 C-V 测量有哪些最佳惯例？ 6. 在我不得不重新配置探头站从 DC I-V 测量切换到 C-V 测量时，我开始遇到测量问题， 为什么这么复杂？ 7. 那么我怎样进行连接？ 8. 我怎样控制这个开关？ 9. 我的实验室预算真的有限。我怎样进行这些测量，既采用最佳惯例，而又不用花太多 的钱？ 10. 我在哪里可以进一步了解怎样处理半导体特性分析挑战？ 1 常见半导体测试目标 半导体设计人员规范测试 - 保证器件满足要求的功率规范 - 确定器件行为在整个范围内是否达到预期 - 确认器件在任何条件下不会发生危险 材料研究人员测试 - 考察样品劣化或故障 - 确定样品纯度 - 检查材料的均匀度 半导体特性分析挑战 诊断常见的半导体测试误差 测试挑战 可能的问题来源 工程师和研究人员一直面临着创建新半导体技术或工艺， 测量产生非预计结果 测量路径中的阻抗过高 或改善现有工艺的挑战。不管挑战是为下一代智能手机 高电缆泄漏 设计功率更低的前端，还是考察高效率太阳能电池板使 被测器件 (DUT) 接近发生故障 用的新材料，您都需要测试工具和测试技术，进行精确 测量正确，但器件的行为方式不合预期 的高精度和高效率电气测量。 测量产生无意义的结果 电缆已连接或接反 本电子指南解答了有关如何更好的进行半导体测量的常 DUT 爆表或瘫掉 见问题，重点解释 DC I-V 和电容 - 电压 (C-V) 测量。 软件配置不正确或有漏洞 同时还介绍了更加具体的应用，及如何简化最具挑战测 测量硬件瘫掉或配置不正确 量的的应用要求。 2 我知道低电平 DC 测量中有误差，但怎样 识别和消除这些误差呢？ 每种低电平测量都受不同误