弱无序铜锗金薄膜之低温电性传输行为研究学生-国立交通大学机构典藏.pdf

弱無序銅鍺金薄膜之低溫電性傳輸行為研究 學生：江品頁 指導教授：林志忠 教授 國立交通大學物理學系碩士班 摘 要 電子的傳輸行為在凝態物理領域中，是一重要且基礎的議題。電子在週期性 晶格中的傳輸行為，可由古典的波茲曼理論描述。隨著系統的無序程度增加，電 子散射率也增加，使得量子干涉的效應逐漸重要。著名的弱局域效應和電子—電 子相互作用，即為考慮此效應的結果。 我們製作一系列不同無序程度和不同厚度的 CuGeAu 薄膜(原子百分比 93 ︰ 4 ︰3) ，測量其在低溫下電阻對溫度的關係、和電阻對磁場的關係。初步分析的 結果顯示出樣品的無序度在 kF l ≈5 ~ 55的範圍。將二維系統的量測結果，以上述 兩個物理理論預測做擬合分析，得出不同於理論預測的α值 (α 1.26 ，理論預 T T 測值則為 α ≤1) 。此結果隱含著系統中，除以上兩個效應之外，尚存在一個造成 T 低溫電導隨溫度變化有對數關係修正的其他機制， 且此機制的大小不容被忽略。 同時，磁電阻在不同溫度 下的變化情形，和弱局域理論所預測的結果幾乎相反， 顯然有其他機制在主導磁電阻的變化。另外，我們從實驗結果歸納出，當 kF l 接 近或大於 50時，量子效應對低溫電導的修正即小於殘餘電阻的萬分之二倍。 本實驗室的黃旭明研究此系統的電子相位相干時間隨溫度的變化，得出此系 統存在二能級系統的結論。而二能級系統對二維樣品低溫電導的修正正是對數關 係，支持上述實驗結果 α 1.26 的合理性。另外磁電阻在不同溫度時的奇異1 T 行為，是否和二能級系統的存在相關，則待進一步的研究和討論。 i Low-Temperature Electrical-Transport Properties of Weakly Disordered Cu Ge Au Films 93 4 3 Student ：Pin-Ye Jiang Advisors ：Prof. Juhn-Jong Lin Institute of Physics National Chiao Tung University ABSTRACT The electrical-transport property is one of the most important and fundamental problems in condensed matter physics. In a periodic structure, the transport property can be well described by the Boltzmann’s transport equation. With increasing degree of disorder, the electron scattering rate will increase, and lead to novel quantum-interference effects between the conduction electron wavefunctions. The well known weak-localization and enhanced electron-electron interactions are the results