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北京大学校长基金论文集(2003 年) 硅氢表面有机分子自组装的研究 硅－氢表面有机分子自组装的研究 Investigation on self-assembly of organic molecules on the Si-H surface 化学与分子工程学院 郭诚 Academy of chemistry and molecular engineering Guo Cheng 摘要 合成了一种新的化合物，并对该化合物在硅－氢表面光引发自组装的成膜条件进 行了初步的探索，给出了化合物的光谱及核磁共振表征结果，并对自组装结果进 行了接触角和 AFM 研究。最后评估了化合物的自组装性能，给出了可能的解释。 论文正文 [简介] 在硅氢表面进行自组装得到表面膜的技术由来已久。最早在 1989 年，Higashi 和 Chabal 等人 2 就利用 HF 对硅（111）表面腐蚀得到Si-H 表面，还研究了 HF 的 pH 对于 Si-H 表面的平整度的影响，并且首次利用 FT-IR(傅立叶变换 红外光谱)证实了 Si-H 键的存在，否定了 Yablonvitch1 等人认为的 Si-F 表面 存在的结论。这种方法能够得到原子级平整的 Si-H 表面，为纳米组装和加工 提供了非常好的基础。随后，Christopher P.Wade5 等利用 SPM 技术得到了 6 Si- H 表面的形貌图，起伏在 0.3nm 左右。而 Hiroyuki Sakaue 等人则提出 了消除 Si-H 表面缺陷的方法，并且利用超高真空 STM 技术作出硅氢表面的 原子级高分辨象。 平整 Si-H 基底的得到原理如下： 首先，由 Si （111）表面经过 Piraha 溶液热氧化而得到 Si-OH 表面，然后在 40% 的 NH4 F 溶液中，发生如下反应： 新制的 Si-H 表面比较平整，与水的接触角大约在 77o 左右。在空气中放置容 易被氧化破坏。 ５ O2 对 Si-H 表面的作用机理如下所示 ： 当得到了平整的 Si-H 表面以后，就可以进行一系列的化学反应了。例如可 以将长烷基链等有机分子通过化学自组装的方法形成 Si-C 键从而将其连接 到硅表面７，８，１１。 实验采用的是光反应技术９，１０，即利用紫外光提供能量使 Si-H 键断裂，产 生 Si. 自由基，并且与不饱和的键（例如C=C 双键）进行自由基反应，从而 实现 Si-C 键的形成，由此可以获得硅片表面的自组装膜。 原理如下所示： 此过程中要注意必须在惰性气氛中反应，否则氧气会对成膜的效果造成不好 的影响９，其机理如下： 一般来说，在硅氢表面的自组装可能会出现密度不高，成膜性能不太好的情 况。这与所使用的分子的性质有关。如果分子只有一个单独的官能团，那么 组装的效果会比较好。但是如果分子有两个官能团，那么因为活泼基团的作 用，组装的效果往往会比较差。我们的想法是合成特定官能团的两亲分子， 利用 LB 技术成膜转移至硅－氢表面，只让我们希望反应的基团（不饱和碳 碳键）靠近表面，从而使得外端基团不影响成膜效果，由此期待能够得到比 较好的自组装膜，并且具有较好取向的特定表面官能团。 因此本实验所设计的有机小分子包括： 十二碳烯、１