模电第2章 半导体二极管及其电路.ppt

电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 特殊二极管 发光二极管 发光二极管（LED）包括可见光、不可见光、激光等不同类型。 图12 发光二极管外形及符号 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 特殊二极管 光电二极管 光电二极管是一种光敏器件，通常用硅材料制成 图12 光电二极管符号及伏安特性 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 特殊二极管 变容二极管 图13 变容二极管符号及压控特性 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 特殊二极管 肖特基二极管 图13 肖特基二极管符号及压控特性 * * * * 2、开关元件??? 二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 模拟电子技术——电子技术基础精品课程 上页 下页 第2章 半导体基础及二极管（2） 武汉理工大学 信息工程学院 电子技术基础课程组 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 半导体二极管 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成了半导体二极管，简称 二极管 P N P N 符号 阳极 阴极 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 半导体二极管的类型 按半导体材料分：有硅二极管、锗二极管等。 按 PN 结结构分：有点接触型和面接触型二极管。 点接触型二极管因其结面积小，不能承受较大的电流和反向电压，但其结电容较小，一般在１PF以下，工作频率高，可达100MHZ以上，因此适应于高频电路和小功率整流电路，也适应于开关电路。 面接触型二极管 其结面积大，能够通过较大的电流，但其结电容大，因而只能在较低频率下工作，一般用于工频大电流整流电路。 按用途分：有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。 半导体二极管 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 图1 半导体二极管的结构和符号 （a）点接触型（b）面接触型（c）集成电路中的平面型（d）代表符号 半导体二极管 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 几种常见的二极管外形 半导体二极管 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 几种常见的二极管外形 半导体二极管 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 几种常见的二极管外形 半导体二极管 二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管 器件的材料，A为N型锗(Ge)，B为P型锗Ge， C为N型硅(Si)， D为P型硅Si。 2代表二极管，3代表三极管。 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 二极管的V-I特性 －与PN结一样，二极管具有单向导电性 反向击穿电压V(BR) – 50 I / mA V/ V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 0 图2 硅管的伏安特性 图3 锗管的伏安特性 半导体二极管 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 二极管的伏安特性 vD iD 导通压降: 硅管0.6~0.8V, 锗管0.1~0.3V。 反向击穿电压U(BR) 死区电压 硅管0.5V,锗管0.2V。 反向漏电流Is （很小，?A级） 电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础 二极管主要参数 为描述二极管的性能，常引用如下几个主要参数： — 1. 最大整流电流IF IF是指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。其值与PN结面积以及外部散热条件有关。在规定的散热条件下，二极管正向平均电流若超过此值，则将因结温升高而烧坏。 — 2. 反向击穿电压VBR和最高反向工作电压VRM VBR是指二极管反向击穿时的电压值。二极管反向击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。 VRM 是指二极管工作时允许外加的最大反向电压。超过此值时，二极管有可能因反向击穿而损坏，其值通常为反向击穿电压的一半。 — 3. 反向电流IR IR是指二极管未被击穿时的反向电流。其值愈小，二极管的单向导电性愈好，但其对温度非常敏感，使用二极管时，要注意温度的影响。 — 4. 最高工作频率fM fM是二极管工作的上限截止频率。其值主要取决于 PN 结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工