嵌入式系统设计基础-第6章.pptVIP

第6章 MCS-51单片机扩展技术 单片机扩展系统结构 存储器扩展 I/O扩展 ADC扩展 DAC扩展 串行总线接口 存储器类型 掩膜ROM EPROM：电写入紫外线檫除 EEPROM：电写入电檫除 NVSRAM：利用锂电池做后备电源 Flash Memory：在EPROM和E2ROM基础上发展起来的快檫写存储器 Nor flash Nand flash 存储器的发展趋势：集成度不断提高、高速存 储器的发展、存储器的低工作电压、低功耗化。 6.1 单片机扩展及系统结构 单片机扩展通常采用总线结构形式，下图就是典型的单片机扩展结构。 单 片 机 数据 存储器 程序 存储器 I/O接口 I/O接口 地址总线 AB 数据总线 DB 控制总线 CB P0口做数据总线和低8位地址线 P2口做高8位地址线 扩展时需外加一个低8位地址锁存器 控制线为专用线,直接连接即可. RFB IOUT1 IOUT2 8031 P0 ALE P2 PSEN 锁存器 低8位地址 高8位地址 EPROM 指令 /EEPROM OE 地址 6.1.2 常用地址锁存器 通常，地址锁存器可使用带三态缓冲输出的8D锁存器74LS373或8282，也可使用带清除端的8D锁存器74LS273，地址锁存信号为ALE。 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 3 4 7 8 13 14 17 18 2 5 6 9 12 15 16 19 OE G 1 11 P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 P0.4 P0.5 P0.6 P0.7 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 ALE 74LS373 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 1 2 3 4 5 6 7 8 19 18 17 16 15 14 13 12 OE STB 9 11 P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 P0.4 P0.5 P0.6 P0.7 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 ALE 8282 D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 Q0 Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q7 3 4 7 8 13 14 17 18 2 5 6 9 12 15 16 19 CLR CLK 1 11 P0.0 P0.1 P0.2 P0.3 P0.4 P0.5 P0.6 P0.7 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 ALE 74LS273 +5V OE G 功 能 0 1 直通（OUTi=Di） 0 0 保持（OUTi保持不变） 1 × 输 出 高 阻 8 8 8 OE IN1～8 G/STB OUT1～8 1D 8D 1Q 8Q ～ ～ 8D锁存器 三态门 74LS373 功 能 表 指令输入 PCL 输出 指令输入 PCL输出有效 指令输入 PCL输出有效 指令输入 PCL输出有效 指令输入 PCL输出有效 PCL 输出 PCL 输出 PCL 输出 PCL 输出 PCH输出 PCH输出 PCH输出 PCH输出 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1 S2 S3 S4 S5 S6 一个机器周期 一个机器周期 ALE PSEN RD/WR P2 P0 6.2 程序存储器EPROM的扩展 不执行MOVX 指令输入 PCL 输出 指令输入 PCL输出有效 PCL输出有效 指令输入 PCL输出有效 Data 输出/输入 PCL 输出 PCL 输出 PCL 输出 PCH输出 PCH输出 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S1 S2 S3 S4 S5 S6 周期1 周期2 ALE PSEN RD/WR P2 P0 DPH或P2输出 6.2.2 典型EPROM扩展电路 常用的EPROM芯片：紫外线擦除可编程只读存储器EPROM可作为MCS-51单片机的外部程序存储器，其典型产品是Intel公司的系列芯片2716(2kB×8bit)、2732、2764、27128、27256(32kB×8bit)和27512等 。 1 2 3 4 6 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 VPP A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O0 O1 O2 GND VCC PGM NC A8 A9 A11