电力电子技术（哈尔滨工程大学）电力电子技术习题及思考题2.docVIP

电力电子技术习题及思考题（第2章） 1. 解：首先，电力二极管大都是垂直导电结构，即电流在硅片内流动的总体方向是与硅片表面垂直的，垂直导电结构使得硅片中通过电流的有效面积增大，可显著提高二极管的通流能力；其次，电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，称漂移区、低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，因此，电力二极管的结构也被称为P-i-N结构。由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不致击穿，因此，低掺杂N区越厚，电力二极管能够承受的反向电压就越高。 2. 解：晶闸管承受正向电压时，门极有触发电流。 3. 解：维持导通：使流过晶闸管的电流维持在维持电流之上（Ih）即可；关断：利用可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下即可。 4. 解： 5. 6. 解：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2 和N1P2N2 构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益α和β，由分析可得，α+β=1是器件临界导通的条件;α+β1晶体管过饱和而导通；α+β1不能维持饱和导通而关断。 GTO 能够自行关断，普通晶闸管不能。因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同： l)GTO的β在设计时较大，这样晶体管V2 控制灵敏，易于GTO 关断； 2)GTO 导通时的α+β更接近于l，普通晶闸管α+β1.5，而GTO 则约为1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件； 3)多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2 极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 7. 解：目前大多电力MOSFET大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。电力MOSFET多了一层低掺杂N区漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 典型的宽禁带半导体材料有：碳化硅氮化镓金刚石等材料。性能方面，具有更高的耐受高压的能力，低的多的通态电阻，更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射的能力。 、可以缩小装置体积，降低成本，提高可靠性，更重要的是对工作频率较高的电路，还可以大大减小线路电感，从而简化对保护金额缓冲电路的要求。、将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，则称为功率集成电路（PIC）。若是将电力电子器件与其控制、驱动、保护等所有信息电子电路封装在一起则称为集成电力电子模块。答：门极可关断晶闸管（GTO）, 电力晶闸管(GTR)，电力场效应晶体管(MOSFET)，绝缘栅双极晶体管(IGBT)。