DPVBi的厚度和发光位置不同对有机电致发光器件性能的影响-发光学报.PDFVIP

DPVBi的厚度和发光位置不同对有机电致发光器件性能的影响-发光学报.PDF

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DPVBi的厚度和发光位置不同对有机电致发光器件性能的影响-发光学报

28 2 V ol128 N o12 2007 4 CH INESE JOURNAL OF LUM INESCENCE A pr. , 2007 : 1000-70 32( 2007 02-0 189-04 DPVBi的厚度和发光位置不同 对有机电致发光器件性能的影响 1 1, 2 1 1 1 1 1 王广德 , 王 立 , 姜文龙, 王立忠, 汪 津 , 韩 强 , 丁桂英 ( 1. , 136000; 2. , 136000 : DPVB i, , , D PVB i, , DPVB i , DPVB i, , DPVB i A lq (HOM O , ( LUMO 3 0. 4 eV, DPVB i, rubrene DPV B i HOM O 0. 5 eV, rubrene DPVB i, rubrene D PVB i , DPV B i, , , 7 ~ 17 V ( 0. 35, 0. 37 ( 0. 33, 0. 35 , ( 0. 33, 0. 33 , : ; ; : TN381. 1; TN 873. 3 PACC: 7860F : A DPV B i[ 4, 4c- 1 引 言 ( 2, 2 - -1, 1c-] , DPV B i, DPVB i , , DPVB i , , , , 2 实 验 , , ( HTL ( EML ( N, N c-dipheny-l N, N c-b is- 1-naph- ( ETL [ 1, 2] thyl -( 1, 1c-b iphenyl -4, 4c-diam ine NPB A lq3 ETL , ( alum in ium-tris-8-hydroxy-quino line , A lq A lq A lq , 4, 4c-bis ( 2, 2, c- 3 3 3 , , diphenylbiny l -1, 1c-bipheny1( DPV B i [ 3~ 5] [ 6, 7] [ 8, 9] , 5, 6, 11, 12- tetraphenylnaphthacene ( rubrene , L iF A l 1 , ITO ( , , : 2006-06-13; : 2006- 11-10 : (;

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