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GaN基LED衬底材料化学机械抛光研究进展-表面技术
第43卷摇 第1期 摇 摇 摇 表面技术
摇 摇 2014年02月 SURFACE TECHNOLOGY ·125 ·
試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試
GaN基LED衬底材料化学机械抛光研究进展
熊伟,储向峰,白林山,董永平,叶明富
(安徽工业大学 化学化工学院,安徽 马鞍山243002)
摘摇 要:概述了化学机械抛光作用机制,着重阐述了3 种常见衬底(琢鄄Al O ,SiC,Si)的化学机械抛光现
2 3
状,主要从抛光工艺参数和抛光液组成(不同磨料、磨料粒径、氧化剂、络合剂、pH值等)对晶片抛光效果
的影响展开研究,并指出了目前化学机械抛光存在的问题,进一步展望了LED衬底化学机械抛光的发展
前景。
关键词:衬底材料;化学机械抛光;抛光工艺;抛光浆料
中图分类号:TN305.2摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 文章编号:1001鄄3660(2014)01鄄0125鄄06
Research Progress of Chemical Mechanical Polishing of Substrates Used
in GaN鄄based LED
XIONG Wei,CHUXiang鄄feng,BAI Lin鄄shan,DONG Yong鄄ping,YE Ming鄄fu
(School of Chemistry and Chemical Engineering,Anhui University of Technology,Maanshan243002,China)
ABSTRACT:In this paper,the mechanism of chemical mechanical polishing (CMP) was summarized. The development of
chemical mechanical polishing of three kindsof substrates (琢鄄Al O ,SiC,Si)were introduced. The studywasmainlyfocusedon
2 3
the effectsofthepolishingprocessparametersandthecompositionofthepolishingslurry (differentabrasive,abrasiveparticlesize,
oxidizingagent,chelatingagentandpHvalue,etc)onwaferpolishing,andtheexistingproblemsof CMPwerepointedout. Final鄄
ly,thefuture prospect of CMP of LED substratewas outlined.
KEY WORDS:substrate materials;chemical mechanical polishing;polishing process;polishing slurry
摇 摇 LED是由芋鄄郁族化合物,如 GaN,GaAs,GaAsP, 薄膜外延生长的衬底主要有3 种:蓝宝石、碳化硅和
GaP等半导体制成,其核心发光部分为pn 结管芯,它 [2] [3—6]
硅 。 研究表明 ,衬底表面的加工工艺是决定器
是通过外延生长形成得到的(将衬底基片加热至适当 件质量的重要因素之一,而异质结构生长技术对LED
的温度,然后将气态物质 Ga,In,P 等输送至衬底表
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