Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展-Core.PDFVIP

SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vol. 32 No. 3 June 2011 Si Ge 黄诗浩, 李 成, 陈城钊, 郑元宇, 赖虹凯, 陈松岩 ( , 361005) : 理论和实验研究表明, 在 一定的应变和掺杂浓度下, Si 基外延 Ge 薄膜能实现1. 55 m 光通信波 的直接带隙发光讨论了Si 基外延Ge 材料的生长技术及其能带结构, 结合本小组 近年来在该领域所取得的成果, 介绍了国内外各研究机构对Ge 薄膜发光材料和器件的研究进展, 展望了未来的发展趋势 : Si Ge; ; ; ; : T N304. 1; : A : 1001- 5868( 2011) 03- 0304- 05 Research Progress on Luminous Properties of Sibased Ge Epita ial Films HU ANG Shiha , LI Cheng, CHEN Chengzha , ZHENG Yuanyu, CHEN S