多晶硅片表面缺陷的研究与定向凝固多晶硅锭热场模拟.PDFVIP

第35 卷 第7 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.35 No.7 20 16 年7 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Jul. 20 16 研究与试制 多晶硅片表面缺陷的研究与定向凝固多晶硅锭热场模拟 1 1 1 1 1 1 2 陆晓东 ，张 鹏 ，吴元庆 ，赵 洋 ，王泽来 ，周 涛 ，边玉强 （1. 渤海大学 新能源学院，辽宁 锦州 121000；2. 锦州奥克阳光新能源有限公司，辽宁 锦州 121000 ） 摘要: 结合实际工艺模拟多晶硅铸锭生产过程中的热场分布情况，研究了该热场对所生产多晶硅片缺陷分布的 影响。同时采用对多晶硅片化学腐蚀抛光处理和位错刻蚀液处理之后的表面缺陷形貌表征的方法，以及观察扫描电 镜（SEM ）视角下其表面微结构，研究了采用定向凝固多晶硅锭工艺所得的多晶硅片表面缺陷情况。结果显示模拟 该生产过程中热场分布情况对多晶硅片缺陷的影响和实验所得的结果相吻合。 关键词: 多晶硅；太阳能电池；定向凝固；抛光；缺陷；热场模拟 doi: 10.14106/ki.1001-2028.2016.07.008 中图分类号:TM914.4 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （20 16）07-0032-05 Study on thermal field and defects of the simulated directional solidification polycrystalline ingot 1 1 1 1 1 1 2 LU Xiaodong , ZHANG Peng , WU Yuanqing , ZHAO Yang , WANG Zelai , ZHOU Tao , BIAN Yuqiang (1. Collage of New Energy, Bohai Univeristy, Jinzhou 121000, Liaoning Province, China; 2. Jinzhou Aoke Sunshine New Energy Limited Company, Jinzhou 121000, Liaoning Province, China) Abstract: Combining with the actual process, thermal field distribution was simulated in the process of polycrystalline silicon ingot, the influences of the thermal field on the defect distribution of polycrystalline silicon wafers were studied. At the same time, the surface morphology characterization of the polycrystalline silicon wafer after chemical etching polishing and the treatment of dislocation etching solution were adopted, the surface microstructure was observed by scanning electron mic