第二章MOS器件物理基础2-3.pptVIP

MOS管交流小信号模型---低频 小信号是指对偏置的影响非常小的信号。 由于在很多模拟电路中，MOS管被偏置在饱和区，所以主要推导出在饱和区的小信号模型。 MOS管交流小信号模型---高频 在高频应用时，MOS管的分布电容不能忽略。即考虑高频交流小信号工作时必须考虑MOS管的分布电容对电路性能的影响。 MOS管的高频小信号等效电路可以在其低频小信号等效电路的基础上加入MOS管的级间电容，如图所示。 (一) 直流电阻 NMOS管的直流电阻为： PMOS管的直流电阻为： 　　　　　　　　　　　　　 由以上两式可以发现：MOS二极管的直流电阻与器件的尺寸相关，并且还取决于VGS的值。 2）考虑衬底偏置效应 如果考虑体效应，如下图左所示，由于衬底接地电位，则有：V1＝－V，Vbs＝－V，其等效电路如下图右所示。 * （a）为理想小信号模型 考虑沟道调制效应，漏电流随漏-源电压变化，用一个压控电流源模拟，如图（b）所示。若电流与电压成线性关系，则该电流源等效为一个线性阻抗ro ，如图（c）所示。 （b）用独立电流源表示沟道长度调制效应 饱和区MOS管的漏极电流是栅源电压的函数，即为一个压控电流源，电流值为gmVGS，且由于栅源之间的低频阻抗很高，因此可得到一个理想的MOS管的小信号模型，如图（a）所示。 衬底偏置效应体现为背栅效应，用漏源之间等效压控电流源gmbVBS表示，如