第二章MOS器件物理基础2-4.pptVIP

MOS管的电容随栅源电压的变化－截止区 MOS管的电容随栅源电压的变化－饱和区 MOS管的电容随栅源电压的变化－线性区 MOS管的电容随栅源电压的变化－总结 MOS管的最高工作频率 * （1）栅与沟道之间的栅氧电容C1=WLCox，Cox为单位面积栅氧电容εox/tox； （2）衬底和沟道之间的耗尽层电容 （3）多晶硅与源和漏交叠产生的交叠电容C3和C4。 MOS管的器件电容（1） 电容分为以下几类： 由于是环状的电场线， C3与C4不能简单地写成WdCox，需通过更复杂的计算才能得到，且它的值与衬底偏置有关。 MOS器件模型 MOS管的器件电容（2） (4) 源漏区与衬底间的结电容：C5、C6 该电容一般由两部分组成：一个是垂直方向（即源漏区的底部与衬底间）的底层电容Cj，另一个是横向即源漏的四周与衬底间构成的侧壁电容Cjsw，因为不同管子的几何结构产生不同的源漏区面积和圆周尺寸值，一般分别定义Cj与Cjsw为单位面积的电容与单位长度的电容。注意每一个结电容都可以表示为： VR：通过PN结的反偏电压 Cj0：PN结在零偏时的结电容（与衬底浓度有关） ΦB ：漏源区与衬底间PN结的内建电势 m：底面电容的梯度因子，一般取介于0.3与0.4间的数 MOS管的器件电容（3） 对于图a: 对于图b: 计算图示两种结构中源和漏的结电容 由于在模拟集成电路中，MOS管一般以四端