衬底温度对ScAlN薄膜结构及电阻率的影响.pdfVIP

第35卷第6期 压 电 与 声 光 Vol_35No．6 2013年12月 PIEZOELECTRICS ＆ ACOUSTOOPTICS Dec．2O13 文章编号：1004—2474(2013)06—0866—03 衬底温度对 ScAIN薄膜结构及 电阻率的影响 杨健苍 ，孟祥钦 ，付伍君，杨成韬 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 ，四川 成都 610054) 摘 要：采用直流反应磁控溅射法、利用ScA1合金靶(含 Sc质量分数 lO％)制备了一系列不同衬底温度的sc 掺杂 A1N(ScAIN)薄膜 。利用 X线衍射仪、原子力显微镜和铁 电测试仪 的电流一电压(I-V)模块研究了衬底温度对 薄膜微观结构、表面形貌及 电阻率 的影响。结果表 明，随着衬底温度升高，薄膜 的 (002)择优取 向愈发 明