硅基锗薄膜选区外延生长研究汪建元王尘李成陈松岩-物理学报.PDFVIP

硅基锗薄膜选区外延生长研究 汪建元 王尘 李成 陈松岩 SelectiveareagrowthofGefilmonSi WangJian-Yuan WangChen LiCheng ChenSong-Yan 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,128102(2015) DOI: 10.7498/aps.64.128102 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.128102 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I12 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin 衬底位置对化学气相沉积法制备的磷掺杂p型ZnO纳米材料形貌和特性的影响 Influences of the substrate position on the morphology and characterization of phosphorus doped ZnO nanomaterial 物理学报.2014,63(16): 168101 /10.7498/aps.63.168101 等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化 PreparationofSiONfilmby plasmaenhancedchemical vapor deposition and passivationon Si 物理学报.2014,63(12): 128102 /10.7498/aps.63.128102 金属有机源化学气相沉积法生长氧化锌薄膜中氢气的作用及其机理 InfluenceandmechanismofH intheepitaxialgrowthofZnOusingmetal-organicchemicalvapordepo- sitionmethod 物理学报.2014,63(11): 118103 /10.7498/aps.63.118103 高速微晶硅薄膜沉积过程中的等离子体稳态研究 Analysisonsteadyplasmaprocessofhigh-ratemicrocrystallinesiliconbyoptical emissionspectroscopy 物理学报.2013,62(16): 168103 /10.7498/aps.62.168103 碳纳米片-碳纳米管复合材料的一步合成及其场发射性质研究 One-stepsynthesisofacarbonnanosheet-scarbonnanotubescompositeanditsfieldemissionproperties 物理学报.2013,62(3): 038101 /10.7498/aps.62.038101 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 12 (2015) 128102 硅基锗薄膜选区外延生长研究 李成 陈松岩 汪建元 王尘 (厦门大学物理学系半导体光子学研究中心, 厦门 361005) ( 2015 年1 月16 日收到; 2015 年3 月10 日收到修改稿) 利用超高真空化学气相沉积系统, 基于低温Ge 缓冲层和选区外延技术, 在Si/SiO 图形衬底上选择性外 延生长Ge 薄膜. 采用X 射线衍射、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼散射光谱等表征了其晶体质量和应变等参数 随图形尺寸的变化规律. 测试结果显示, 位错密度随着图形衬底外延窗口的尺寸减小而减少, Ge 层中的张应 变随窗口尺寸的增大先增大而后趋于稳定. 其原因是选区外延Ge 在图形边界形成了(113) 面, 减小了材料系 统的应变能, 而单位体积应变能随窗口尺寸的增加而减少; 选区外延厚度为380 nm 的Ge 薄膜X 射线衍射曲 线半高宽为678′′ , 表面粗糙度为0.2 nm, 表明选区生长的Ge 材料具有良好的晶体质量, 有望应用于Si 基光电 集成. 关键词: 超高真空化学气相沉积, 选区外延, 锗 PACS: 81.15.Gh, 78.55.Ap, 68.55.–a DO