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脉冲阳极氧化条件对多孔硅法布里-上海有机化学研究所
2009 年第67 卷 化 学 学 报 Vol. 67, 2009
第7 期, 693～699 ACTA CHIMICA SINICA No. 7, 693～699
·研究论文·
脉冲阳极氧化条件对多孔硅法布里-珀罗干涉特性影响
黎学明* 杨金瑞 陈建文 杨文静
(重庆大学化学化工学院 重庆 400030)
摘要 采用电化学脉冲阳极氧化法制备具有干涉效应的多孔硅. 研究电流密度、有效阳极氧化时间、电解液组成对多
孔硅法布里-珀罗(F-P)干涉特性的影响, 利用光纤光谱仪测量多孔硅反射光谱并计算其光学厚度. 结果表明, 当阳极氧
化电流密度78 mA•cm－2 、有效阳极氧化时间5 min、氢氟酸与乙醇体积比V ∶V ＝2 ∶1 时, 制备的多孔硅法布里-
HF EtOH
珀罗干涉条纹均匀, 膜层性质稳定; 当与饱和乙醇气体接触时, 多孔硅反射光谱吸收峰位由612 红移到637 nm, 光学厚
度由5864 增加到6296 nm, 表明利用多孔硅法布里-珀罗干涉效应检测乙醇气体思路是可行的.
关键词 多孔硅; 法布里-珀罗干涉; 光学厚度; 传感
Effect of Pulse Anodizing Conditions on Fabry-Pérot Interference
Characteristics of Porous Silicon
Li, Xueming* Yang, Jinrui Chen, Jianwen Yang, Wenjing
(College of Chemistry Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400030)
Abstract Porous silicon with interference characteristics was prepared by the pulsed electrochemical ano-
dization method. The influences of current density, effective anodization time and electrolyte composition
on the Fabry-Pérot (F-P) interference characteristic of porous silicon were investigated. Interferometric re-
flectance spectra of the porous silicon were measured using a fiber spectrometer and the corresponding opti-
cal thickness was calculated. The results show that the porous silicon can produce uniform F-P interference
－2
rings, under the condition of current density 78 mA•cm , effective anodization tim
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