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第八章 光刻与刻蚀工艺;绪论;绪论;绪论;绪论;;绪论;绪论;绪论;绪论;;8.1 光刻工艺流程;;;;;;;;;;;;正性光刻;;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;;8.1 光刻工艺流程;;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.1 光刻工艺流程;8.2 分辨率;;8.2 分辨率;;8.3 光刻胶的基本属性;;8.3 光刻胶的基本属性;8.3 光刻胶的基本属性;;8.3.1 对比度γ;;;8.3 光刻胶的基本属性;8.3 光刻胶的基本属性;8.5 抗反射涂层工艺;8.6 紫外光曝光;对于光刻曝光的重要 UV 波长 ; 部分电磁频谱;;8.6 紫外光曝光;8.6.5 接触式曝光 硅片与光刻版紧密接触。 优点：光衍射效应小，分辨率高。 缺点：对准困难，掩膜图形易损伤，成品率低。 8.6.6 投影式曝光 利用光学系统，将光刻版的图形投影在硅片上。 优点：光刻版不受损伤，对准精度高。 缺点??光学系统复杂，对物镜成像要求高。 用于3μm以下光刻。;投影式曝光原理：;分步重复投影光刻机--Stepper;;8.7 掩模版（光刻版）的制造;;8.8 X射线曝光;8.9 电子束直写式曝光;8.10 ULSI对图形转移的要求;8.11 湿法刻蚀;;8.12 干法腐蚀;8.12.1 干法刻蚀的原理;8.12.1 干法刻蚀的原理;8.12.2 SiO2和Si的干法刻蚀;;8.12.3 Si3N4的干法刻蚀 ;8.12.4 多晶硅与金属硅化物  的干法刻蚀;8.12.5 铝及铝合金的干法腐蚀