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MEMS工艺集成
MEMS工藝集成;內容;一、簡介;二、表面犧牲層工藝;重慶大學微系統研究中心;MUMPS工藝;MUMPS工藝特點;長氮化矽
長0層Poly－Si;一次光刻
RIE去除多餘0層Poly－Si;LPCVD澱積二氧化矽
二次光刻，DRIE形成凹點
;三次光刻，DRIE形成錨點
LPCVD澱積1層Poly-Si,澱積PSG，退火;四次光刻1層Poly－Si，DRIE
澱積二氧化矽;五次光刻，DRIE
六次光刻，DRIE;澱積Poly－Si，PSG，退火
七次光刻，DRIE;八次光刻，剝離，濕法去除光刻膠和金屬
HF釋放結構
;SandiaSUMMIT工藝;SandiaSUMMIT工藝;0層多晶矽;1層二氧化矽
1層多晶矽;2層氧化矽
2層多晶矽;3層氧化矽
3層多晶矽;SandiaSUMMIT工藝;DMD微鏡;DMD微鏡;DMD微鏡;器件;三、體加工;Example: electrochemical sensor array;SCREAM工藝;Sealed-cavity DRIE工藝;重慶大學微系統研究中心;重慶大學微系統研究中心;MEMS與IC集成;存在的問???;工藝比較;集成方案比較;集成方案及代表;CMOS first;CMOS first;MEMS first;重慶大學微系統研究中心;重慶大學微系統研究中心;需重點考慮殘餘應力問題;重慶大學微系統研究中心;密封腔製備工藝;錐尖製備工藝;重慶大學微系統研究中心;重慶大學微系統研究中心;重慶大學微系統研究中心;重慶大學微系統研究中心
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