双极工艺.ppt

* 双极工艺 双极工艺 是集成电路制造的重要工艺 双极型晶体管是最早发明的半导体器件。在早期的集成电路生产中双极型工艺曾是唯一可能的工艺 双极型工艺凭借其高速、高跨导、低噪声以及较高的电流驱动能力等方面的优势，发展很快，目前主要的应用领域是模拟和超高速集成电路。 1. 二极管 （PN结） 正方向 反方向 V I 电路符号： + - 有电流流过 没有电流流过 对于硅二极管，正方向的 电位差与流过的电流大小 无关，始终保持0.6V-0.7V P-Si N-Si + - 2. 双极型 晶体管 p n p B端 E端 C端 E C B n p n B端 E端 C端 C B E N P N B E C P N P B E C C B E N P N B E C ? B C E n p n B C E 一类是各个元器件之间要做电性隔离区，隔离的方法有PN结隔离、全介质隔离以及PN结－介质混合隔离等。用这种工艺制作的双极型集成电路典型的有TTL（晶体管－晶体管逻辑电路） 另一类是元器件之间自然隔离。 在隔离方法中， PN结隔离的工艺由于工艺比较简单，已成为最常用的方法。 双极型集成电路的基本制作工艺可分为两大类 双极集成电路中元件的隔离 B E C n p n B E C n p n C B E C B E E B E B C B E C p n B E C p n n n 双极集成电路中元件的隔离 介质隔离 PN隔离 B E C p n+ n B E C p n n+ n+ n+ n+ n+ P-Si P+ P+ P+ S 双极集成电路元件的形成过程结构和寄生效应 发射区(N+型) 衬底(P型) 双极集成电路元件断面图 B E C p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S 四层三结结构的双极晶体管 基区(P型) 集电区 (N型外延层) n+-BL 双极集成电路等效电路 C B E p n+ n-epi n+ n+-BL P-Si P+ P+ S C(n) B(p) E(n+) npn pnp S(p) 等效电路 * 采用双极工艺制造集成电路 在双极型集成电路的基本制造工艺中，要不断地进行光刻、扩散、氧化的工作。 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 1:衬底选择 确定衬底材料类型 C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL P型硅(p-Si) 确定衬底材料电阻率 ρ≈10Ω.cm 确定衬底材料晶向 P型硅(p-Si) 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 2:第一次光刻----N+隐埋层扩散孔光刻 C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL P-Si衬底 N+隐埋层 具体步骤如下： 1．生长二氧化硅（湿法氧化）： Si+ O2 ? SiO2 Si- 衬底 SiO 2 2．隐埋层光刻： 涂胶 腌膜对准 曝光 光源 显影 As掺杂（离子注入） 刻蚀（等离子体刻蚀） 去胶 N+ 去除氧化膜 3．N+掺杂： N+ P-Si Tepi C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL Tepi 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 3:外延层淀积 主要设计参数 外延层的电阻率ρ; 外延层的厚度Tepi; A A’ Tepi xjc+xmc +TBL-up+tepi-ox TBL-up tepi-ox xmc xjc 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 4:第二次光刻----P隔离扩散孔光刻 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 5:第三次光刻----P区基区扩散孔光刻 C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 6:第四次光刻----N+发射区扩散孔光刻 C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 7:第五次光刻----引线孔光刻 C B E p n+ n-epi n+ P-Si P+ P+ S n+-BL 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 8:铝淀积 典型PN结隔离双极集成电路中元件的形成过程 9:第六次光刻----铝反刻 双极集成电路元件断面图 B E C p n+ n-epi n+ P+ P+ S P-Si n+-BL B E C S A A’ P+隔离扩散 P基区扩散 N+隔离扩散 接触孔 铝线 隐埋层 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺 BCD工艺技术是符合扩展摩尔定律功能多样化发展