金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究-上海有机化学研究所.PDFVIP

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2018-08-18 发布于天津
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金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究-上海有机化学研究所

化学学报 ACTA OHIMICA SINIOA 1991, 19, 998-1003 金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究李怀祥· 王士励李国铮 (山东大学化学系，济南，250100) 本文以 n/n+-Si 和 p/n+-Si 为基底，通过铀、镇等金属膜表面修饰后组成光电化学电池，探讨了金属/n-Si 间的 Schottky 势垒对电池开路光电压的影响.研究了铠膜修饰电极的光电化学性能.用 p/n+-Si 电极，在回mW.cm-2 0.530 V , 的光阴射下，最佳电池的输出参数是:开路光电压短路光电流 47.6mAcm-，填充因子 0.35，光电转换效率 13.6%. 连续照光75小时，电池性能基本稳定. 将太阳能直接转换成电能是太阳能利用的一个重要方面，它作为提供电力资源的一种途径日益受到人们的普遍关注.固体太阳电池目前存在的主要问题是发电成本高，它与石油、煤等其它能掘的发电成本相比高出约一个数量级.光电化学(PEO) 电池有制成廉价太阳电池之前景.半导体硅用作PEO 电池的阳极材料时，表面容易生成Si0 层而导致电池失效.采用 2 21 金属膜对半导体进行表面修饰保护口，，光电极在电解质水搭液中的抗腐蚀性能得到了显著 [8 4] ，地改善.通过半导体电极的选择性金属修饰，提高电极反应的光催化活性也有报道前已 n NiOOH 型外延硅为基底，通过金属锦或膜修饰后，光助电解水析氧得到了较好的表明，以 [5-7J p/n+-Si n/n+-Si PEO 结果本文报道铺、锦等金属膜修饰和电极组成电池的研究结果. 实验 n/n+- n 100n. 材料与试剂山东大学半导体材料厂提供的型外延硅钮，电阻率为1. ，o omjO.003 p/n+- 14-15μm. p om ，外延层厚度为