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§ MOS场效应晶体管及其SPICE模型 MOS管的结构尺寸缩小到亚微米范围后，多维的物理效应和寄生效应使得对MOS管的模型描述带来了困难。模型越复杂，模型参数越多，其模拟的精度越高。但高精度与模拟的效率相矛盾。依据不同需要，常将MOS模型分成不同级别。SPICE2中提供了几种MOS场效应管模型，并用变量LEVEL来指定所用的模型。 LEVEL＝1 MOS1模型 ? Shichman-Hodges模型 LEVEL＝2 MOS2模型 ? 二维解析模型 LEVEL＝3 MOS3模型 ? 半经验短沟道模型 LEVEL＝4 MOS4模型 ? BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）模型 MOS1模型 MOS1模型是MOS晶体管的一阶模型，描述了MOS管电流-电压的平方率特性，它考虑了衬底调制效应和沟道长度调制效应。适用于精度要求不高的长沟道MOS晶体管。 MOS1模型器件工作特性 MOS1模型器件工作特性 MOS1模型衬底PN结电流公式 MOS2 模型 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS器件二阶效应 MOS3 模型 MOS3 模型 MOS3 模型 MOS3 模型 * * （1）线性区（非饱和区） 当VGSVTH，VDSV