电工与电子技术课件作者韩敬东第3章节.ppt

（1）放大状态 三极管处于放大状态的条件是发射结正偏和集电结反偏。这就是输出特性曲线上IB＞0 和UCE＞1V的区域。我们把这个区域叫放大区。 三极管在放大区的特征是：IC由IB决定，而与UCE关系不大。即IB固定时，IC基本不变，具有恒流的特性。 改变IB，则可以改变IC，而且IB远小于IC，表明IC是受控制的受控电流源，有电流放大作用。 （2）截止状态 当三极管的基极开路或发射结处于反向偏置时，三极管处于截止状态。 从特性曲线上来看，IB=0的那条曲线以下的区域，即为截止区,见图3.17。在此区域内，三极管没有放大作用。 当三极管截止时，c、e之间的电压基本上等于UCC，而IC≈0，故三极管呈现出高电阻，c、e之间相当于断路，截止状态的三极管相当于一个断开的开关。 （3）饱和状态 当发射结、集电结都处于正向偏置时，三极管处于饱和状态。当集电极外接电阻RC阻值很大，或者基极电流IB较大时就会出现这种情况。 在输出特性曲线上，饱和区确切范围不易明显地划出，它大致在曲线族的左侧，UCE较小的区域（UCE＜UBE），见图3.14。 当三极管处于饱和状态时，尽管增大基极电流IB的值， 集电极电流IC却基本保持不变，此时三极管失去了放大作用。饱和时三极管c与e间的电压记作UCES，称为饱和压降。一般规定小功率硅管的UCES≈0.3 V，锗管UCES≈0.1V 当给定一个三极管的各极电压时，可以计算出Ic的最大饱和电流Ics，由Ics可以计算出产生此电流所需的IBS，再由IBS判断出三极管是饱和还是放大状态。 在图3.12中，Ics＝UCC/RC，IBS= Ics／β 若基极实际电流IB＞ IBS,三极管饱和；0＜IB＜IBS，三极管工作在放大状态。 3.3.3 三极管主要参数 三极管的参数用来表示管子的性能，是选用三极管的依据。其主要参数有下面几个： 1、共射电流放大系数 和β 在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比 就是 ，称 为共射直流电流放大系数。 当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即 β＝ （3.3） 上述两个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。 由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。 2、极间反向饱和电流ICBO和ICEO （1）集电结反向饱和电流ICBO：是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）数量级，通常可忽略。 （2）集电极－发射极反向电流ICEO：是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM 晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内变化时其β值基本保持不变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，IC不应超过ICM。  （2）集电极最大允许功耗PCM 晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即 PCM=ICUCE 功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。 手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。 3）反向击穿电压U（BR）CEO 反向击穿电压U（BR）CEO是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压UCE＞U（BR）CEO，集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源VCC选得过大，当管子截止时，有可能会使UCE＞U（BR）CEO导致三极管击穿而损坏。一般情况下，三极管电路的电源电压VCC应小于1/2 U（BR）CEO。 4、温度对三极管参数的影响 几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。 （1）对β的影响： 三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。 （2）对穿透电流ICEO的影响： ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度