干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 * %%) ， ， ， HO 3* JO 3 PQGK@2KR %%) （ ） !%%%:$’%0%%)0* % 0 !%):% -9L- /MNC+9- C+J+9- !%%) 9=;, 3 /=R. 3 COB 3 干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究! ）） ） ） ） ） ） ） ） ! ! # ! ! ! ! $ $ 曹 萌 吴惠桢 刘 成 劳燕锋 黄占超 谢正生 张 军 江 山 !）（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室，上海 %%%% ） ）（中国科学院研究生院，北京 !%%%$’ ） $ ）（武汉邮电科学研究院，武汉 ($%%)( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %%* ( %%* * ’ 采用感应耦合等离子体刻蚀技术对+,-./0 +,/ 应变多量子阱和+,-./0 +,12-./ 应变单量子阱材料的覆盖层进行 了不同厚度的干法刻蚀 实验结果表明，干法刻蚀后量子阱光致荧光强度得到了不同程度的增强 干法刻蚀过程 3 3 不仅增加了材料表面粗糙度，同时使其内部微结构发生变化3 采用湿法腐蚀方法去除表面变粗糙对量子阱发光特 性的影响，得到干法刻蚀覆盖层% ,4 后应变单量子阱微结构变化和其表面粗糙度变化两个因素分别使荧光强度 提高 倍和 倍的结果 !56 !5 3 关键词：干法刻蚀，应变多量子阱，光致发光谱，损伤 ： ， ， !## *!)% (7 )68 +9/ 刻蚀技术和湿法腐蚀方法对量子阱覆盖层进行 !5 引 言 了不同厚度的刻蚀，通过比较两种情况下量子阱光 致荧光特性的变化规律，得出干法刻蚀影响应变量 随着晶体生长技术的提高，现如今已能生长出 子阱结构发光特性的机理3 高质量的晶格失配异质结构，如受到广泛研究的应 ［— ］ 变量子阱结构! ( 3 +,-./0 +,/ 应变量子阱既是研究 5 实 验 应变及二维物理的一种典型结构，也是半导体发光 ［— ］ 二极管和激光器件的理想光增益材料 ) ，以 为了分析量子阱结构在 刻蚀后的发光特性 +9/ +,-./0 +,/ 材料为光增益有源层的近红外激光器在 变化规律，我们设计了如图 （）所示的 应 ! 2 +,-