数字电路基础第2章节.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * 尚辅网 / 第2章 逻辑门电路 2.1 半导体的开关特性 2.2 分立元件门电路 2.3 TTL门电路 2.4 CMOS集成门电路 本章小结 习题 2.1.1 二极管开关特性 2.1 半导体的开关特性 第2章 逻辑门电路 二极管的单向导电性： ①外加正向电压（Uth），二极管导通，导通压降约为0.7V； ②外加反向电压，二极管截止。 uD(V) iD(mA) 0.7V 一、二极管的导通条件 第2章 逻辑门电路 二、二极管的截止条件 当Ud0.5 V，或在二极管两端加上反向电压时，二极管可近似认为是开路。因此，可以把Ud0.5V作为二极管的截止条件。一旦截止，即可近似认为电流等于0，相当于开关断开。开关断开的等效电路如左图所示。 2.1 半导体的开关特性 2.1.2 三极管开关特性 第2章 逻辑门电路 放大 iC 饱和 截止 2.1 半导体的开关特性 第2章 逻辑门电路 一、饱和导通条件 三极管饱和导通时，如同具有压降 的闭合开关。 三极管临界饱和集电极电流为： 三极管临界饱和基极电流为： 输入高电平 时，实际基极电流为： 三极管饱和导通条件应为： 二、截止条件 硅三极管的截止条件为： 2.1 半导体的开关特性 2.1.2 场效应管开关特性 第2章 逻辑门电路  图（a）为N沟道增强型MOS管，它的开启电压为UT。当ui = UGSUT时，MOS管截止，相当于开关断开，uo = VDD，等效电路如图（b）所示。C1代表栅极输入电容，约几皮法。当ui=UGS UT时，MOS管导通，呈低阻状态，相当于开关接通，uo ≈ 0，等效电路如图（c）所示。 场效应管（MOS管）和二极管、三极管一样可以当作开关元件使用。 2.1 半导体的开关特性 2.2.1 与门 2.2 分立元件门电路 第2章 逻辑门电路 Y=AB 2.2.2 或门 2.2 分立元件门电路 第2章 逻辑门电路 Y=A+B 2.2.3 非门 2.2 分立元件门电路 第2章 逻辑门电路 输入为低，输出为高； 输入为高，输出为低。 2.2.3 复合门 2.2 分立元件门电路 第2章 逻辑门电路   与非门的真值表 或非门的真值表 2.3.1 TTL与非门工作原理 2.3 TTL门电路 第2章 逻辑门电路   TTL与非门的电路结构 一、电路组成 2.3.1 TTL与非门工作原理 2.3 TTL门电路 第2章 逻辑门电路   二、逻辑功能 ①输入端全为高电平（+3.6V）时： T2、T5饱和，输出为低电平。 此时UB1=2.1V，由于T2和T5处于饱和导通，输出端UC5=UOL=0.3V， 即输出Y为低电平。 ②输入端有低电平（+0.3V）时：T1导通，UB1=1V，T2、T5截止， T3、T4导通，UY约为3.6V，即输出Y为高电平。 ??? 74LS00的引脚排列图 2.3.2 TTL集电极开路门 2.3 TTL门电路 第2章 逻辑门电路  1.线与问题 在数字系统中，有些场合需要将门电路的 输出端并联使用，即“线与”。但推拉式输出 的门电路不能并联。 2.OC门 解决上述问题的办法：需要线与时，用 OC 门。 例如，如图所示情形时,门电路会损坏。 OC与非门的电路结构 OC与非门线与图 TTL与非门线与 2.3.3 TTL三态门 2.3 TTL门电路 第2章 逻辑门电路   输出有三种状态： 高电平、低电平、高阻态。 国际符号 TSL反相器的电路结构 TSL门的真值表 2.4.1 CMOS反相器 2.4 CMOS集成门电路 第2章 逻辑门电路   基本电路用T1 (N沟道)管和T2管（P沟道）构成。 输入脉冲幅度通常为VDD。 真值表 A 0 1 Y 1 0 表达式 Y=A uA 0V T1 T2 uY VDD VDD 截止 导通 截止 导通 0 1.电路结构 2.工作原理 2.4.1 CMOS逻辑门 2.4 CMOS集成门电路 第2章 逻辑门电路   一、与非门 1. 组成 两TP管在上，并联； 两TN管在下，串联； 2.工作原理 只有当AB同为1且使串联 的TN管同时导通时，输出 才为0，其它情况输出为1。 功能特点： 3. 输出逻辑表达式 Y=A?B Y=A?B 2.4 CM